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VBPB165R11S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBPB165R11S是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),3.5V的门限电压(Vth),以及11A的漏极电流(ID)。该产品采用TO3P封装,适用于多种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):30V(正负)
- 门限电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):420
- 漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO3P

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源开关模块:VBPB165R11S适用于中功率的电源开关模块,如逆变器、开关电源和电机控制器。
2. 太阳能逆变器:该MOSFET可用于太阳能逆变器中的功率开关电路,以实现太阳能电能的转换和稳定输出。
3. 工业驱动器:在工业自动化领域,VBPB165R11S可用于工业驱动器和电机控制器中,提供可靠的功率开关和电流调节。
4. 高压LED照明:由于其高电压和电流能力,该器件可用于高压LED照明系统中的电流调节和开关控制,以提供稳定的照明输出。

以上领域和模块仅是VBPB165R11S可能适用的一些示例,实际应用取决于具体的电路设计和要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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