VBP165R22 - VBsemi MOS管制造商

VBP165R22 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

产品简介：
VBsemi的VBP165R22是一款单N沟道场效应管，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），以及3.5V的阈值电压（Vth）。该产品采用平面工艺技术，封装为TO247。它的主要特点是具有低导通电阻，280mΩ（在VGS=10V时），以及22A的漏极电流（ID）。

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

详细参数说明：
- 型号：VBP165R22
- 品牌：VBsemi
- 类型：单N沟道场效应管
- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 栅极-源极电压（VGS）：30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（VGS=10V时）：280mΩ
- 漏极电流（ID）：22A
- 技术：平面工艺
- 封装：TO247

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
1. 工业电源模块：由于VBP165R22具有较高的漏极-源极电压和漏极电流，适合用于工业电源模块中的开关电源和逆变器。
2. 电动汽车充电桩：产品的低导通电阻和高耐压特性使其成为电动汽车充电桩中功率电子器件的理想选择。
3. 可再生能源转换器：在太阳能逆变器和风力发电控制器等可再生能源转换器中，VBP165R22可以实现高效能的能源转换。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

MOSFET

VBP165R22 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶