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VBE2153M 产品详细

产品简介:

VBE2153M 产品简介
产品介绍
VBE2153M 是一款高性能 P-channel MOSFET,设计用于高电压和高电流的开关应用。封装为 TO252,单 P-channel 配置,具有 -150V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)。该 MOSFET 的门槛电压 (Vth) 为 -2.9V,RDS(ON) 为 273mΩ (VGS = 10V),并且最大持续漏电流 (ID) 为 10A。采用 Trench 技术,VBE2153M 提供了高效的开关性能和优越的电源管理能力。


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产品参数:

详细参数
- **封装:** TO252
- **配置:** 单 P-channel
- **漏源电压 (VDS):** -150V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **门槛电压 (Vth):** -2.9V
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 273mΩ @ VGS = 10V
- **持续漏电流 (ID):** 10A
- **技术:** Trench

领域和模块应用:

应用示例
1. **电源开关:**
VBE2153M 适合用于高电压电源开关应用。其高耐压和较低的导通电阻使其在电源管理和电源切换电路中表现出色,能够有效控制高电压电源的开关状态。

2. **反向保护电路:**
在需要保护电路免受反向电压损害的应用中,VBE2153M 可以作为反向保护开关。其负漏源电压能力使其适用于保护电源和负载免受电压反转的影响。

3. **负载开关:**
在各种负载开关应用中,如电动机控制和电池管理系统,VBE2153M 能够高效地切换负载状态。其高电流能力和低导通电阻确保了负载开关操作的可靠性和能效。

4. **高压功率转换:**
VBE2153M 适用于高压功率转换模块中,其高漏源电压和耐高电流能力使其能够在功率转换应用中有效工作,提高整体系统的可靠性和性能。

总体而言,VBE2153M MOSFET 是一个功能强大的 P-channel 组件,适用于各种高电压和高电流应用,确保稳定的性能和高效的电源管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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