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VBR9N1219 产品详细

产品简介:

产品简介

VBR9N1219 是一款高性能 N 型 MOSFET,封装形式为 TO-92。其漏极-源极耐压(VDS)为 20V,适用于低电压应用。该 MOSFET 的栅极-源极最大电压为 ±12V,确保了在各种工作条件下的安全性。其门槛电压(Vth)为 0.6V,表明在低栅极电压下也能有效导通。VBR9N1219 的导通电阻(RDS(ON))在不同的栅极电压下分别为 25mΩ(VGS = 2.5V)、21mΩ(VGS = 4.5V)和 18mΩ(VGS = 10V),提供非常低的导通电阻和高效能。其最大连续漏极电流(ID)为 4.8A,适合中等电流应用。采用 Trench 技术,进一步提升了其开关性能和可靠性。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: VBR9N1219
- **封装形式**: TO-92
- **配置**: 单 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 20V
- **栅极-源极最大电压 (VGS)**: ±12V
- **门槛电压 (Vth)**: 0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 25mΩ (VGS = 2.5V)
- 21mΩ (VGS = 4.5V)
- 18mΩ (VGS = 10V)
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 4.8A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

VBR9N1219 MOSFET 的低电压耐受能力和极低的导通电阻,使其非常适合以下领域和模块:

1. **消费电子**:
- **低功率电源管理**: 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,VBR9N1219 可以用于电源管理电路,提供高效的开关性能和低功耗。
- **LED 驱动器**: 由于其低导通电阻,VBR9N1219 是驱动LED的理想选择,确保低功耗和长寿命。

2. **小型家电**:
- **电机驱动**: 在小型家电中,如电动牙刷、电动工具等,VBR9N1219 可用于电机驱动电路,处理中等电流应用,并提供高效能。
- **开关控制**: 适用于家用电器中的开关控制电路,如风扇、加湿器等,提供稳定的开关性能。

3. **工业自动化**:
- **传感器接口**: 在工业自动化中,VBR9N1219 可用于传感器接口电路,处理信号控制和开关操作,提供可靠的性能。
- **低功率控制系统**: 适用于低功率控制系统中的开关元件,确保系统的高效运行和稳定性。

总之,VBR9N1219 MOSFET 的低电压耐受能力和低导通电阻使其在消费电子、小型家电以及工业自动化等领域的低功率应用中表现出色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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