MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBGC2101K 产品详细

产品简介:

VBGC2101K 产品简介

VBGC2101K是一款高性能双P沟道MOSFET,采用DIP8封装,专为低电流和高电压应用设计。该MOSFET具有-100V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),阈值电压为-3V。它采用先进的Trench技术,提供较低的导通电阻,在VGS为10V时的导通电阻为1000mΩ,最大漏极电流(ID)为-0.7A。VBGC2101K特别适合用于电源管理和信号控制应用,能够在高电压条件下保持可靠的性能和稳定性。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VBGC2101K 详细参数说明

| 参数 | 值 | 单位 |
|--------------------|-------------------|------|
| 封装类型 | DIP8 | |
| 配置 | 双P沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | -100 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | -3 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 1000 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏极电流 (ID) | -0.7 | A |
| 技术 | Trench | |

领域和模块应用:

VBGC2101K 适用领域和模块

1. **电源管理(Power Management)**:
VBGC2101K在电源管理应用中表现出色,特别适合用于高电压和低电流的控制任务。其高漏源电压(-100V)和双P沟道配置使其能够在复杂的电源管理电路中有效运作,确保电源系统的稳定和可靠。

2. **信号控制(Signal Control)**:
该MOSFET适用于各种信号控制应用,如模拟开关和电平转换器。其较低的导通电阻和适中的漏极电流使其能够在高电压条件下有效控制信号传输,适合用于高精度和高稳定性的信号控制电路中。

3. **保护电路(Protection Circuits)**:
在保护电路中,VBGC2101K能够提供可靠的过电压和过电流保护。其高电压和低电流特性使其能够在保护电路中有效工作,确保敏感电子设备的安全和可靠性。

4. **逆变器(Inverters)**:
在逆变器应用中,VBGC2101K能够处理高电压和低电流负载,适用于需要精确控制的逆变电路。其双P沟道配置和高电压特性使其能够在逆变器电路中提供高效的控制和稳定的性能。

5. **低功耗应用(Low-Power Applications)**:
VBGC2101K在低功耗应用中表现出色,适用于需要高电压和低电流的电路设计。其低导通电阻和双P沟道配置使其能够在低功耗电路中提供高效和稳定的性能,适合用于便携设备和电池供电的电子产品中。

VBGC2101K凭借其高电压和低电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效和稳定性能的应用,为电源管理、信号控制和保护电路提供了可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询