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VBE25R04 产品详细

产品简介:

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VBE25R04 是一款高耐压单 P 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。该器件基于平面技术,设计用于承受高达 -500V 的漏源电压,适合在高压环境下操作。VBE25R04 的高耐压和适中的导通电阻,使其在需要高电压和高可靠性的应用中表现优异,尤其适合用于高压开关和功率管理的场合。

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产品参数:

详细参数说明

- **型号**: VBE25R04
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 P 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -500V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: -3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4875mΩ @ VGS = 4.5V
- 3900mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -2A
- **技术**: Plannar

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **高压开关电源**:VBE25R04 的高耐压特性使其非常适合用于高压开关电源应用。它能够在高达 -500V 的电压下稳定工作,适合用于高压电源的开关和功率管理。

2. **功率管理系统**:由于其能够承受高电压且具有较低的导通电阻,VBE25R04 适用于各种功率管理系统,如电力转换器和高压功率开关,确保系统在高压环境下的高效稳定运行。

3. **电力逆变器**:在电力逆变器应用中,VBE25R04 可以处理高电压并保证电路的稳定性,特别适合用于光伏逆变器和风能发电系统中的高压开关部分。

4. **电机控制**:该 MOSFET 的高耐压和适中的导通电阻使其适合用于电机控制模块,特别是在需要高电压和可靠性的电机驱动系统中,能够有效控制电机的开关操作。

5. **高压保护电路**:VBE25R04 的高耐压特性使其适用于高压保护电路,如电源保护电路和过压保护设备,能够有效保护其他电路组件免受高压损害。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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