MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE175R06 产品详细

产品简介:

产品简介:

VBsemi的VBE175R06型号是一款单N沟道功率MOSFET,具有高性能和可靠性。采用Plannar技术,该产品具有优秀的导通特性和稳定性能。适用于各种功率应用,提供可靠的功率控制和保护功能。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:

- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBE175R06
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):750V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):2125mΩ
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1700mΩ
- 最大漏极电流(ID):6A
- 技术:Plannar
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:

1. 电源模块:VBE175R06适用于电源模块中的开关电源和逆变器,提供稳定的功率输出和高效的能量转换。
2. 汽车电子系统:该产品可用于汽车电子系统中的驱动器和电池管理模块,确保电动汽车的高效能和稳定性能。
3. 工业控制设备:在工业控制设备中,VBE175R06可用于电机驱动器和电源模块,实现设备的高效能控制和稳定运行。
4. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,实现太阳能发电系统的高效能转换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询