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ST3422AS23RG-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
ST3422AS23RG-VB是一种N沟道场效应晶体管,适用于低功率和中功率电子应用,具有低导通电阻和中等额定电压。

ST3422AS23RG-VB N沟道MOSFET适用于多种低功率和中功率电子应用,包括电源管理、信号开关、电流调整、电子开关和电路控制等领域。它有助于实现低功率电子系统的高效率和可靠性,特别适用于低功率电源管理和信号控制。

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产品参数:

型号:ST3422AS23RG-VB
丝印:VBB1630
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压:60V
- 最大漏电流:5.5A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):30mΩ @ 10V, 36mΩ @ 4.5V, ±20Vgs
- 阈值电压(Vth)范围:1V 至 3V
- 封装:SOT23-3L

领域和模块应用:

以下是一些可能的应用领域和模块:

1. **电源开关**:这种N沟道MOSFET适用于低功率电源开关模块,如电源开关电路、稳压器和电源适配器。它能够有效地控制电流和电压,使其适用于低功率电源管理应用。

2. **信号开关**:ST3422AS23RG-VB可以用于信号开关应用,如模拟信号切换、数字信号开关和信号放大器。

3. **电源开关和控制**:在各种低功率电子开关和控制应用中,这款MOSFET可以用于电源开关、电路控制和电源适配器。

4. **电流调整模块**:它还可以用于低功率电流调整模块,如LED驱动器、电流调整电路和电源管理单元,以确保电路输出的稳定性和精确性。

5. **低功率电子开关**:它在各种低功率电子开关应用中有广泛的用途,包括低功率电子开关、低功率电路保护和低功率信号切换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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