如下图，上边使用了PMOS管作为高边开关，下边使用NMOS管作低边开关，这两种驱动电路都能有效地控制负载的工作。

那为什么通常都把P管放在高边，N管放在低边呢？

MOS管作为一种开关，可以放在负载前也可以放在负载后。

这是由两种开关管的开启条件不同所导致的。

一般会有两种情况，第一种是高边驱动，开关MOS与电源直接相连，第二种就是低边驱动，开关MOS与地相连。

我们来看两者的导通条件：

增强型NMOS：GS之间的压差Vgs>阈值电压Vgs（th）。

当NMOS放在低边处，S极接在GND，导通即：控制G极电压高于0并超过阈值即可。

增强型PMOS：与NMOS正好相反，GS之间的压差Vgs<阈值电压Vgs（th）。

当PMOS放在高边时，S极接Vbat是固定的。导通即：控制G极电压低于Vbat且差值超过阈值即可。

那如果NMOS和PMOS位置互换呢？

由于基准S极电位浮动，再控制G极电压就会相对变得复杂。

下面电路设计实例：

通过MCN控制功率电路通断，使输出电压Vo能够随时等同于Vbat或者0，从而控制给后续负载电路的供电。

首先，Vbat电压是确定的，Vo及后级电压是不固定的。

我们以Vbat作为固定的基准电压来采用HSD高边驱动进行控制开关管。

高边驱动优先考虑PMOS进行控制，只需G极电压低于Vbat一些即可。（如果采用NMOS，就需要考虑提供高于Vbat电压的G极控制信号）。

如图，电阻R1的作用是用来保证GS之间的电压差。

这里需要注意PMOS的连接，需要将S极接到固定电位的Vbat上，如果接反的话就会导致体二极管直接导通，失去控制能力。

接下来如何控制G极实现2种电压状态的变化？

可以考虑采用分压电阻的方式：

如图增加电阻R2，当小开关断开时，R2下端悬空，PMOS的G极电压由于R1 应为VBAT，VGS=0，PMOS保持关断。

如果想要控制这个小开关，用一个三极管就可以了。

MCU控制其基极，当MCU输入低电平，三极管无法导通，R2下端悬空，PMOS保持关断；当MCU输入高电平，三极管便会导通，R2经过三极管接到地，实现对P管的G极的分压降压，最终实现导通。

此电路设计注意要点：

1. 三极管的be极之间有PN结，存在导通压降（约0.7V），计算R1、R2电阻分压的G极电压时要把0.7V算进去；

2.R3作用在于限制三极管输入电流Ibe，R4作用是当MCU引脚为悬空时保证基极电压为0的，使三极管有效关断。

3.与R1并联的二极管D1的作用是保护MOS管，防止当外接电源VBAT电压异常过压，超过MOS允许的GS间最大电压而损坏MOS。

（以上部分资料与图片来源于网络）

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