IGBT在栅极和发射极之间加入正电压就可以进行导通。不过，这个正电压至少需要高于阈值电压。如果栅极和发射极之间的电压低于阈值电压，IGBT则将关闭或者处于截止状态。

由于IGBT的跨导，集电极电流IC是栅-射极电压的函数，此外，饱和压降也受控于该电压。即，栅-射极电压越高，集电极电流就越大和饱，饱和压降就越低。不过，一般通态损耗受控于饱和压降，因此需要使用一个相对高的控制电压来获得最低的通态损耗。

此外需要注意的是，短路时，高栅-射极电压将导致大短路电流。一般在正常工作时IDE通态损耗和故障时的最大短路电流中取得妥协值。一般是15V，不超过20V（保证可靠工作的最大值）。

否则，在短路时极易产生较危险的大电流。如果考虑栅极氧化层的电压阻断能力。

2.负电压控制

当施加一个负的栅极电压，IGBT将会关断。同正电压一样，负电压不低于-20V，-15V是数据手册的典型值。不过，在实际应用中，成本与性能一样重要，-15V并不适合所有场合。实际应用中关断电压可以选择-15V~0V，但许多场合应用会选择-10~-5V的关断电压，原因在于：

1. 所需要的驱动功率低；

2. 可用的驱动IC，许多驱动IC在CMOS上开发的，会限制阻断电压，比如说正负电源电压之间的最大值会是30V；

因此，栅极负电压的范围会选择-10V~-5V，产生负栅极电压的同时节约电源功率，最小化成本。例如一些低成本的IGBT驱动应用，放弃负电压可以简化驱动供电的设计。

不过，采用0V关断，在一些大功率电力电子装置上，可能会面临寄生开通的问题。

寄生导通：指被关断的IGBT再次短时间导通的过程。

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