往期视频我们提到MOS管不同于三极管，它属于电压控制型器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程中，也是需要电流的，这是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs以及Cds。

MOS管的规格书参数对应：

Cgd=Crss；

Cds=Coss-Crss；

Cgs=Ciss-Crss

首先MOS管的导通条件，是Vgs电压至少需要达到阈值电压Vgs(th)，它通过栅极电荷对Cgs电容进行充电。当MOS管完全导通后就不需要提供电流了。

那么，MOS管具体的开通过程是怎样的呢？

一般分为四个阶段

T1阶段：

驱动开通脉冲通过mos管的栅-源极对输入电容Cgs充电，开启时Vgs电压=阈值电压Vth，在此之前，mos管处于关断状态。此时只有很小的电流经过mos管，Vds的电压Vdd保持不变

T2阶段:

当Vgs电压达到阈值电压Vth时，电流ID开始流过漏极，Vgs电压继续上升，电流也逐渐上升。这时的Vds电压依旧保持Vdd不变。

当Vds电压到达米勒平台电压Vgp时，电流ID上升到负载电流的最大值ID，这时，Vds电压开始从Vdd下降。

T3阶段：

现在就到了重要的米勒平台了。

米勒期间电流ID保持负载ID不变，Vds电压不断降低。米勒平台的高度受负载电流的影响，当负载电流越大，电流ID到达的时间就越长，也就导致了更高的米勒平台电压Vgp。

T4阶段：

当米勒平台结束时，Vgs电压继续降低，但此时它降低的幅度很小。最后稳定。

一般在米勒平台结束以后，可以认为mos管基本已经导通。

为什么会造成弥勒平台？

因为MOS开通时，Vd＞Vg，Vgd先通过MOS管放电，再反向充电，夺取了给Cgs充电的电流，造成Vgs电压不变，所以造成米勒平台。也就是说，如果想要减少开通损耗，就要尽可能的减少米勒平台的时间。

这是MOS管的开通过程了，下期我们来讲mos管的关断过程。