VBsemi碳化硅MOSFET满足大功率应用需求！

前言

新能源汽车动力域高压化、小型化、轻型化是大势所趋。 碳化硅（SiC）技术赋予了我们无尽的新机遇。在寻求高度可靠电源系统的诸多领域，SiC MOSFET凭借高效能，为各行各业的多样化应用提供了完美解决方案，包括但不限于在恶劣环境下顽强运行的应用。本文将以VBsemi碳化硅MOSFET为例，探讨其在大功率应用领域中的工作原理及优势。

碳化硅MOSFET的优势

相比传统的的硅MOSFET，新一代碳化硅MOSFET在导通电阻和开关损耗方面显著降低，实现了更高的工作频率。同时，其高温工作特性极大提升了器件在高温环境下的稳定性。碳化硅MOSFET的优点主要体现在工作温度高、阻断电压高、损耗低、开关速度快四大方面。

碳化硅MOSFET在大功率领域的实际应用

l 电动汽车驱动系统

电动汽车的迅速发展，对驱动系统的性能要求越来越高。VBsemi碳化硅MOSFET凭借其优异的性能，能够大大提高电动汽车驱动系统的功率密度和工作效率，实现更高性能的动力输出。

l 工业电源

在高电压、高功率的工业电源领域，VBsemi碳化硅MOSFET可以实现更高效、更紧凑的设计，降低系统成本。

l 太阳能逆变器

作为太阳能发电系统中的关键部件，对太阳能逆变器的转换效率和可靠性是有很大要求的。VBsemi碳化硅MOSFET在其中较高的转换效率与稳定性，并且可以在高温等恶劣的环境中工作，延长使用寿命。

l 工业电机驱动

碳化硅的快速开关和更低损耗使其成为高效集成式电机驱动的理想之选，因为它使设计人员能够缩小电机驱动的尺寸，并使电机驱动更靠近电机，以降低成本和提高可靠性。

设计层面

VBsemi碳化硅MOS在系统和芯片层面具有很大的优势。

碳化硅可以构建更小型、更轻量、更经济的设计，能够更有效地转换能量，并且支持各种终端应用。

系统层面

其卓越的导热性能降低了散热需求，这意味着减小了系统体积，从而大大降低了重量和成本。

芯片层面

VBsemi碳化硅MOS能在更高的温度条件下以更高的开关速度运行（从-55摄氏度到175摄氏度）。

微碧VBsemi碳化硅MOS的特性优势，推荐其中的VB112MC100

1. 单位面积导通电阻RDS（on）较低

2. 低漏源导通电阻和栅漏电荷

3. 低二极管正向电压

4. 高可靠性

5. 低开关损耗

6. 抗噪性高，使用方便

微碧半导体（VBsemi）是一家成立于 2003 年的一家MOS管高新技术企业，研发中心在台湾，VBsemi专注于MOSFET的研发和制造。微碧半导体的产品线包括常规MOSFET、超结MOSFET、SiC MOSFET和IGBT等，其技术的不断创新使其在半导体器件领域取得了显著的发展。

企业拥有20余项专利，软件著作权以及各种荣誉称号，同时还引进多台国外先进设备，含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域，掌握多项场效应管核心制造技术，提供个性化参数调控，为客户量身定制，全方面为客户解决方案的MOSFETS场效应管制造商。