有伙伴让VBsemi小编出一期‘MOS管如何快速关断’，这就来了。今天我们来了解下MOS管为什么需要加快关断速度，以及应该如何加速关断。

MOS管驱动有很多种，之前我们有所了解，其中有一种就是用专门的驱动芯片进行驱动，我们主要围绕这个驱动设计来展开。

在MOS管关断的时候，一般电压会比开通的时候更高，关断产生的损耗也比开通产生的损耗要大，因此我们总希望电路关断的速度能变快点。

那么，我们要怎样加速MOS管的关断呢？

我们看下面这张图

当MOS管开通时，电阻R1与R4限流，进而对MOS管电容进行充电 ；

在这里要注意，R1与R4的电阻参数不是固定的，并且，R1会小于R4。

当MOS管关断时，R4电阻上的电压被钳位在0.7V，当大于0.7V后，电流经过二极管，然后与R1串联进行放电，这样就减少了驱动电阻，因此MOS管可以实现快速关断，进而减少了关断损耗。

这里有个问题，如果芯片驱动能力不足的话怎么办？

答案是：我们可以通过增加PNP三极管来实现。

当MOS管开通时，依旧让芯片进行直接驱动，但在关断时可以通过三极管来进行放电。

这时，三极管的be电流控制ec电流，进而泄放MOS管的栅极电容的电荷。当三极管的ce电流满足一定条件时，ec的电流能够通过be电流进行放大，这样电源IC所需的关断能力就会小很多。

这不仅加快了MOS管关断速度慢的问题，同时也解决了IC驱动能力不足的问题。

好了，本期大概就讲到这里，关注我，下期VBsemi小编和大家来谈谈“PMOS作电源开关电源电压被瞬间拉低”的情况。