SGTMOSFET是一种具有高功率密度、低开关损耗和优良EMI性能的功率器件。它采用屏蔽栅沟槽技术，适用于电动工具和锂电保护板等领域。SGTMOSFET具有高电压能力、高能效、高可靠性和抗干扰性强等优势特点。

摘要由作者通过智能技术生成

有用

随着手机快充、电动汽车、无刷电机和锂电池的兴起，中压MOSFET的需求跟随其越来越大，中压功率器件在如今持续蓬勃发展。国内诸多厂商在相应的新技术研发上也不断加大投入。

那么今天，VBsemi小编就和大家一起来了解MOSFET产品技术：SGT技术（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽）。

SGT MOSFET产品主要应用于中压和低压领域，广泛应用于电机驱动系统、逆变器系统及锂电保护板，是核心功率控制部件。

本期内容要点主要围绕SGT MOSFET的工艺特点、优势特点、应用领域（电动工具、锂电保护板上）展开讲解。

一．工艺特点

SGT MOS工艺比普通沟槽更加简单，开关损耗更小。

这是因为SGT MOS比普通沟槽工艺深3-5倍，在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽，可以利用更多的外延体积来阻挡电压，漂移区临界电场强度比较小，因此SGT的内阻比普通MOSFET低2倍以上。

二、优势特点

1. 提升功率密度

这一部分我们在上面的工艺方面提到了。由于其沟槽挖掘深度深3-5倍，因此可以横向使用更多的外延体积来阻止电压，这使得它拥有了更低的导通电阻。

2. 极低的开关损耗

SGT技术具有低Qg 的特点。而原本屏蔽栅结构的引入，可以有效降低MOSFET的米勒电容CGD高达10倍以上，这有利于在开关电源应用中的减少其开关损耗。此外，它还拥有更低的CGD/CGS比值。

3. 更好的EMI优势和抗雪崩EAS能力

SGT MOSFET较深的沟槽深度的优势特点，可以利用更多的晶硅体积来吸收EAS能量，因此它在雪崩时性能更强，能很好地承受雪崩击穿和浪涌电流。同时SGT结构中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件关断时dv/dt变化带来的尖峰和震荡，能进一步降低应用风险。

就以上的优势特点，我们就可以进一步讨论微碧新型SGT MOSFET产品在电动工具与锂电保护板上的应用情况了。

三、应用领域

微碧VBsemi的SGT MOSFET在电动工具、锂电保护板等领域中主要有以下优势：

高电压能力：它可以承受更高的电压，在高压领域应用更为广泛。

高能效：它的的导通电阻更小，开关速度更快，在高频应用中能够实现更高的性能。

高可靠性：它的结构具有很大的优势特点，更加稳定可靠，能够承受更高的电流和温度。

抗干扰性强：其结构中寄生的CD-shield和Rshield，能够吸收器件关断时dv/dt变化带来的尖峰和震荡，具有更好的EMI特性。

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