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MOS管——缓启动电路(实例讲解)
时间:2023-12-04
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实例讲解MOS管缓启动电路

为什么需要电源启动?电源缓启动能做什么?

缓启动,顾名思义就是让电路电源缓慢开启。

那解释起来这么简单,工作原理是否如此呢?

今天我们带着上面的疑问一起来讨论电源缓启动的应用分析。

首先,为什么我们需要电源缓启动?

我们先拿电子系统中常见的功能“热插拔”来举例子。

(热插拔:在系统正常工作时,带电对系统的某个单元进行插拔操作,且不对系统产生任何影响。)

热插拔一般电子系统有两方面影响1.热插拔时,连接器的机械触点在接触瞬间会出现弹跳,引起电源振荡;2.热插拔时,由于系统大容量储能电容的充电效应,系统中会出现很大的冲击电流。

由于以上原因,特别是瞬时产生的大电流,工作时产生明显的打火现象,这会引起电磁干扰,并对接插件造成腐蚀。因此需要缓慢上电。

在这里我们可以得出缓启动电路两种主要的作用1.防抖动延时上电2.控制输入电流的上升斜率和幅值。

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下面我们使用MOS管来讲解一个缓启动电路工作原理。

MOS管具备低导通阻抗(Rds_on)和驱动简单的优势,在这基础上配合其它的元器件,就能构成缓慢启动电路。

通常情况下,在正电源中用PMOS,在负电源中使用NMOS

如下图:用一个VBsemiNMOS管搭建的一个-48V电源缓启动电路图

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我们先对“其它元器件”进行简单说明:

1) D1TVS管):一般用于电源电路的浪涌防护,防止MOS管导通前输入电压过大损坏后级电路;

2) D2(肖特基二极管):隔离防抖动延时电路与上电斜率控制电路(防止受C1的影响);

3) D3(稳压二极管):保证VGS电压的稳定并保护MOSQ1的栅-源极不被高压击穿;

4) R2/R1C1R1C1提供快速放电通道;R1/R2分压值大于D3的稳压值;

5) R3C2:控制电源电压上升斜率

6) R4R5:防止MOS管自激振荡。

在上图中,Q1MOS管,Cgs为其-极间的寄生电容Cgd-极间的寄生电容Cds-源极间的寄生电容

可以看到,-漏极外部并联了电容C2 ,这里的-漏极的总电容C’gd=C2+ Cgd,相对于C2 来说,Cgd的容值几乎忽略不计,所以C’gdC2几乎相等。

MOS栅极开启电压Vth正常工作的情况下栅源电压为Vw,这里的电压等于稳压管D3的嵌位电压,电容C1充电的时间常数t=(R1//R2//R3)C1,由于R3通常R1R2大很多,所以t≈(R1//R2)C1

此电路工作过程可分为四个阶段:

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如图所示:AB防抖电路CD电压缓起电路

第一阶段:

-48V电源对C1充电,MOS管开启后,漏极电流开始增大,此时的变化速度与MOS管的跨导和栅源电压变化率成正比;此时:

VA电压随输入快速下降;

VB电压瞬间降至-48V,随后缓慢上升对C1两端电压充电;

VC电压瞬间被Vb拉低D2导通,其稍高于VB。随着R1/R2C1的充电,此时VGS=Vc-Va)也跟着增大,Q1处于截止状态。

Q1处于截止状态,也就是Vd=0V。由于C2通过R5瞬间充满电,Vcd电压与C2的初始电压都为-47.6V,然后随着电压VC升高而缓慢放电。

R3D2流经电流VB点电压从-48V开始缓慢上升,Vc电压跟着-47.6V缓慢上升;

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(启动时VgsVdsIds的变化)

第二阶段:

VGS电压VGS(th)上升至VpltMOSQ1完全打开

一般最好米勒平台之前结束防抖动电路作用,此后开启时间由电压缓启动电路负责;取决于R1/R2C1然后到VGS(th)的时间,同时也包括R3C2充电时间的计算。

第三阶段:

此时就到达米勒平台阶段。当漏电流(Idrain)不断增大,直至负载端电压VD0V开始下降,此时开始米勒平台阶段;

一般开启瞬间设备电源输入最大电流,是在设备电源电压开始上升之前,此时Q1能够通过自身的压降来限制冲击电流的大小;

Id电流维持IDVds电压不断降低。

第四阶段:

米勒平台阶段结束后,Vd-48V保持不变;Id电流仍然维持IDVds电压降低到一个较低的值,但此时降低的斜率与幅度比较小,最后稳定

通常我们可以认为米勒平台结束后MOSFET基本上已经导通。

VBsemi MOS管 在其中的应用说明

由以上我们可以看出,MOS开关电源应用领域里是一个非常重要的器件.

VBsemiMOS管由于开关速度快,通流能力强,非常适合在低压,大电流,中等功率应用,能有效提升电源转换效率。其重要性具体如下,但不限于:

1.开关电源的开关(对上管)和续流二极管(对下管),可以通过MOS管来实现,上管和下管开启/关闭的时间决定了MOS管的开关损耗:

2. 在导通过程中,MOS管打开至米勒平台结束这个阶段,是开关导通中的重点阶段

好了以上就是我们今天所讲的知识点,点个关注吧!更多精彩内容我们下期再见!

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