MOS管发热问题通常由电路设计问题、驱动频率过高、散热设计不足或MOS管选型不当等因素导致。发热会导致功率管损耗增加，从而影响MOS管性能。因此，应关注散热设计，选择合适的散热片，并选择低导通电阻的MOS管以降低发热问题。

摘要由作者通过智能技术生成

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近期微碧经常听到有伙伴说：

“为什么我的MOS管会发热，明明我的电流并不大啊？”

MOS管发热问题是MOS管应用时常见的问题，那么今天微碧就来简单的带大家了解MOS管发热问题以及如何应对这样的情况

我们先来了解MOS工作发热的基本情况。

在MOS管中有几个重要的参数：导通阻抗RDS（ON），栅极/驱动电压 VGS 以及流经开关的电流漏源极电流ID.

其中。导通阻抗RDS（ON）

与栅极（或驱动） 电压VGS 以及流经开关的电流有关

在充分的栅极驱动的情况下，RDS（ON）是一个相对静态参数。MOS管在持续的导通情况下容易产生热量，导致发热，由此慢慢升高的结温使RDS（ON）也逐渐增加，此时功率管的损耗也跟着增加，导致MOS管的发热发烫。

总结下来，MOS管发热大致可以分为以下几个因素：

1. 电路设计问题

MOS管工作主要在于线性的工作状态，而不是在开关状态，MOS管导通过程时间过长会导致发热

2.MOS管驱动频率太高，频率与导通损耗就会成正比。因此在发热时，可以看看频率选择的是否过高。此外，过分追求体积，也会导致频率提高，MOS管上的损耗增大。

3.如果没有做足够好的散热设计，通过漏极和源极的导通电流ID就会过大，不过，ID小于最大电流，也可能发热严重，因此需要足够的辅助散热片来帮助MOS管很好的散热。

4.MOS管的选型时关键，我们在前面提到了RDS（ON）这个关键参数，它的变化是导致发热的主要原因。因此选择低导通电阻的MOS管是至关重要的，不过这里需要注意的是，内阻越小，cgs和cgd电容越大，具体应用时要选择内阻合适的MOS管。