MOSFET是一种受门极电压控制的开关。

当门极电压大于开通阈值时，MOSFET就会被开通；当门极电压低于开通阈值时，MOSFET会被关断。

在实际的应用中，由于器件及外围线路寄生参数等其他因素的影响，会导致原本关断的功率器件被误开通。

今天我们和大家一起来谈谈MOSFET在驱动电路中的误开通以及其应对方法。

我们来讲下误开通的两种情况：米勒效应引起的误开通和寄生电感引起的误开通。

米勒效应引起的误开通

当 MOSFET 关断，随后对管导通时， Vds 电压（漏极与源极之间所能施加的最大电压值）快速上升产生高的 dv/dt（开关瞬态过程中漏极－源极电压的变化率），从而在电容 Cgd （米勒电容）中产生位移电流( igd)。

这个位移电流流经 后会产生一个电压尖峰 。如果这个电压尖峰超过了 MOSFET 的开通阈值，MOSFET 就会被开通，从而导致电路直通甚至损坏。

还有一种误开通是由于线路上的寄生电感引起的，如下图，Ls 是MOSFET 源极上的寄生电感。

当 MOSFET 快速关断时，电流迅速减小产生较高的 di/dt，随后寄生电感的两端产生一个负的电压（VLS）。这个VLS电压如若超过了 MOSFET 的门极阈值，MOSFET 就会被误开通。

那么，我们有什么方法来应付MOSFET被误开通的现象呢？

1.调整门极驱动电阻和电容

通过调节门极驱动电阻和电容的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度：增大门极驱动电阻和电容来减慢MOSFET开通/关断的速度，减小 dv/dt (di/dt) 从而减小门极电压尖峰。

1. 增加三极管

2. 可以在靠近功率管的门极处放一个三极管来防止在关断期间的误开通，有效的抑制由于米勒效应带来的门极误开通。

3.采用反并联二极管

使电感中的电流能够通过二极管回路消失，从而避免产生反向电势。