#我的旅行日记#

相比于传统的硅（Si）MOSFET，SiC具有优异的电性能特性，包括高击穿电压、高电子迁移率和高热稳定性。因此具有更高的开关速度和更低的开关损耗。

MOSFET的开关状态一般分为两种：截止和导通。

当栅极电压高于一定阈值时，MOSFET处于导通状态；

当栅极电压低于一定阈值时，MOSFET处于截止状态。

在实际应用中，SIC MOSFET一般需要通过控制栅极电压进行开关行为。通过控制栅极电压的高低，可以实现SiC MOSFET的开关控制。

由于其优异的开关特性，SiC MOSFET适用于高速开关电路中。不过，器件的开关行为中必然会带一定的损耗。一般提到开关损耗的情况，器件本身就是其中一个重要因素，但工作条件与外部电路情况也是影响高速SiC MOSFET开关特性的关键因素。

一般来说，工作条件会影响MOSFET的导通和截止特性。继而影响开关速度和损耗，而外部电路则会影响MOSFET的开关速度和损耗。

1. 工作条件：电压、电流、温度等。

2. 外部电路：包括驱动电路、负载电路等，

3. 开关损耗由以下几个方面影响：

1. 开关频率：开关频率越高，开关损耗越大。

2. 开关电压：开关电压越高，开关损耗越大。

3. 开关电流：开关电流越大，开关损耗越大。

除了以上讲的影响因素以外，影响器件行为和使用的重要因素还存在MOSFET的静态特性、动态特性以及温度特性等其它因素。

1. SiC MOSFET

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，相比于传统的硅（Si）具有耐高压、耐高频、耐高温等优势。首先，碳化硅（SiC）的击穿电压为硅（Si）的8-10倍，能够承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更好效率。其次，碳化硅（SiC）不存在电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的3-10倍，从而适用于更高频率和更快的开关速度。最后，碳化硅（SiC）拥有非常高的导热率，相较硅（Si）来讲，能在更高的温度下工作。

特点

具有高温工作、 高阻断电压、低损耗、开关速度快等优势

应用领域

主要集中在电力电子领域，包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、轨道交通等。