一般在选择和使用MOS管时，我们会进行查阅产品的参数手册，面对琳琅满目的参数有时候是不是有些头晕眼花？今天我们就对参数手册一些比较基本和常用的参数进行解读，帮助大家更容易挑选到合适的MOS产品。

现在我们来看下面这张图

1. VDS：漏极-源极电压，即MOSFET工作时漏极和源极之间的电压（最大承受）。

2. VGS：栅极-源极电压，即MOSFET工作时栅极和源极之间的电压（最大承受）。

3. ID：漏极电流（漏极可承受的持续电流值），即MOSFET工作时从漏极流出的电流，如果流过的电流超过该值，会产生击穿的风险。

4. IDM：最大脉冲漏极电流（源漏之间可承受的单次脉冲电流强度），即MOSFET能够承受的最大瞬时漏极电流。同样如果超过该值，会引起击穿的风险。

5. EAS：单脉冲击穿能量，即MOSFET能够承受的单脉冲击穿能量，可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。

6. PD：最大耗散功率，即MOSFET能够承受的最大功率。

7. DV/dt：漏极-源极电压变化率（承受能力越大越好），即MOSFET漏极-源极电压每单位时间的变化率。

8. TJ, Tstg ：MOSFET能够正常工作的温度范围以及能够安全存储的温度范围。控制器件在合适的温度范围内工作，将有利于延长其工作寿命。

这些参数对MOSFET的工作和性能有着重要的影响。

其中，VDS和VGS是MOSFET的基本工作电压，ID和IDM则决定了MOSFET的输出电流能力，EAS和PD则是MOSFET的安全工作范围，DV/dt则是MOSFET的开关速度，工作结温度范围和存储温度范围则是MOSFET的使用环境限制。

RthJA和RthJC指MOSFET器件的热阻值，一个是沟道-环境的最大热阻抗，一个是沟道-封装的最大热阻抗。一般来说热阻越小，表示散热性能越好。

它可以帮助我们计算MOSFET器件的最大工作温度和功率。如果MOSFET器件的工作温度超过了它的最大工作温度，它可能会损坏或者失效。

一般比较常见的参数就是这些，还有更多参数与曲线图后续我们再进行讲解。

在面对这么多参数问题，微碧为方便大家能够快速找到自己想要的MOS管型号，近期为大家整合出了一些产品视频的讲解，后续将会持续推进。（如下图）

（各大视频平台皆可搜索VBsemi）

我们会将产品的部分参数供大家参考：

#分享秋日好天气#产品的封装、沟道类型、最大电流、最大电压、限制电压以及阈值电压、RDS（on）参数（不同情况下）和其它参数以及其广泛的应用领域。

（视频内容）

朋友们在面对想要了解的MOS型产品时，可以直接进行搜索产品型号，或者不清楚自己应该选择哪些合适的MOS型产品可以在各大平台上点击查看，了解哪些产品与自己的应用情况相匹配，也可以选择搜索官网平台进入查看更多产品参数详情！

（微碧VBsemi型号大全）

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