重磅！微碧携带新品MOS型产品亮相深圳慕尼黑电子展！

微碧推出几款新型MOS型产品将在今年的深圳慕尼黑华南电子展会亮相！展会将于2023年10月30日至11月1日在深圳国际会展中心（宝安新馆）举行，微碧半导体的展位号是1号馆1D13。

l SiC MOSFET

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，相比于传统的硅（Si）具有耐高压、耐高频、耐高温等优势。首先，碳化硅（SiC）的击穿电压为硅（Si）的8-10倍，能够承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更好效率。其次，碳化硅（SiC）不存在电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的3-10倍，从而适用于更高频率和更快的开关速度。最后，碳化硅（SiC）拥有非常高的导热率，相较硅（Si）来讲，能在更高的温度下工作。

特点

具有高温工作、 高阻断电压、低损耗、开关速度快等优势

应用领域

主要集中在电力电子领域，包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、轨道交通等。

l SJ MOSFET

SJ MOSFET（超结MOSFET）：SJ MOSFET是一种超结构MOSFET，英文名称叫Super Junction MOSFET。主要应用于高压（600V-800V）领域。为了解决额定电压提高而导通电阻增加的问题，超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构，其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。

它的结构是在沟槽MOSFET的基础上加入了超结二极管，可以有效降低开关损耗和反向恢复时间，提高效率和可靠性。

特点

SJ-MOSFET具有传导损耗低、电流驱动能力大、栅极电荷低、开启电压低、开关速度快、百分之百的雪崩能量击穿测试等优点。

应用领域

适用于电机驱动系统、逆变器系统和电源管理系统等领域。

l IGBT

IGBT（绝缘栅双极型晶体管),IGBT具有BJT的输入特性和MOS管的输出特性。与BJT或MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管IGBT优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高工作电压和更低MOS管输入损耗。它主要应用于高压（600V-1700V）领域。它的结构是在MOSFET的基础上加入了PN结，可以实现高电压和高电流的控制。

特点

具有低导通电阻、低开关损耗、高速开关和高可靠性等特点。

应用领域

适用于电动汽车、轨道交通、工业控制等领域的电机驱动系统、逆变器系统和电源管理系统。

IGBT

（IGBT结构图）

l SGT MOSFET

SGT MOSFET（屏蔽栅沟槽MOSFET）是一种新型的功率半导体器件，采用屏蔽栅沟槽技术制造的MOSFET减小了寄生电容和导通电阻，提升了芯片性能，并减小了芯片面积,可以实现低导通电阻和低开关损耗。

这项技术通过改变MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场变为类似压缩的梯形电场，从而进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rds(on)。微碧的新一代中低压功率MOSFET产品已广泛采用SGT技术。包括VBGQT1102、VBGM1102、VBGL1103、VBGL1805、VBGE1805等型号都有应用该技术。

SGT MOSFET与传统的沟槽型MOSFET相比具有许多优势。SGT工艺挖掘深度比普通沟槽工艺深3-5倍，通过在栅电极下方增加一块多晶硅电极，即屏蔽电极或耦合电极，实现了屏蔽栅极与漂移区的作用。这样一来，SGT MOSFET减小了米勒电容和栅电荷，提高了开关速度并降低了开关损耗。同时，SGT MOSFET减小了漂移区临界电场强度，降低了导通电阻，内阻比普通沟槽型MOSFET低2倍以上。

特点

具有低导通电阻、低开关损耗、高速开关和高可靠性等特点。

应用领域

适用于电动汽车、光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统和电源管理系统。

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在展会上，参观者将有机会与微碧半导体的技术专家进行交流和沟通，了解更多关于新推出的MOSFET产品和技术的详细信息。

作为一家国家级高新技术企业，微碧半导体一直致力于推动半导体器件技术的发展，并为客户提供创新的解决方案。微碧的产品质量可靠，性能稳定，广泛应用于电源、电机控制、照明等领域。

因此，我们诚挚地邀请新老客户前往2023深圳慕尼黑华南电子展参观微碧半导体的展位。这将是一个了解最新半导体器件技术和趋势的绝佳机会。我们期待着您的光临，并与您共同探讨半导体器件领域的发展前景。

2023慕尼黑华南电子展 （electronica South China）

举办时间：2023年10月30-11月1日

举办地点：深圳国际会展中心（宝安新馆）

主办单位：慕尼黑展览（上海）有限公司

微碧展馆号：一号馆-1D13

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