我们经常会提到NMOS和PMOS，并且微碧在往期讲过不少两者在一些应用领域中的情况。但是很少对两者的基本情况进入深入探讨，今天我们来对两者之间的区别进行简单的讲解（以电流和导通条件为主）。

NMOS的电流流向和导通条件：

NMOS（N沟道MOSFET）

电流流向：

NMOS的电流流向是从源极（S）到漏极（D）。当正向偏置电压施加在栅极（G）和源极之间时，电流从源极流向漏极，即S-D。

电流可由D-->S（nmos），也可S-->D（pmos）。主要是看源极和漏极之间的电位，漏极电位高于源极，电流D到S。源极电位高于漏极，电流S到D。

导通条件：

NMOS的导通条件是当栅极和源极之间的电压（Vgs）大于或等于阈值电压（Vth）时。阈值电压是一个特定的电压值，它决定了MOSFET是否导通。一旦Vgs大于或等于Vth，NMOS就会导通。此时，栅极和漏极之间的电压（Vgd）可以是正值或零。

PMOS的电流流向和导通条件：

PMOS（P沟道MOSFET）的电流流向和导通条件如下所述。

电流流向：

PMOS的电流流向是从漏极（D）到源极（S）。当负向偏置电压施加在栅极（G）和源极之间时，电流从漏极流向源极，即D-S。

导通条件：

PMOS的导通条件是当栅极和源极之间的电压（Vgs）小于或等于阈值电压（Vth）时。阈值电压是一个特定的电压值，它决定了MOSFET是否导通。一旦Vgs小于或等于Vth，PMOS就会导通。此时，栅极和漏极之间的电压（Vgd）可以是负值或零。

S是源极，D是漏极

对于NMOS，载流子是电子，我们知道电子的流向都是从源极到漏极，但是电流的流向是从漏极到源极。

对于PMOS，载流子是空穴对，空穴对的流向也是从源极到漏极，与NMOS不同的是PMOS电流的方向也是从源极到漏极，注意区分。

以常见的Silicon-On-Insulator（SOI）技术制造的NMOS和PMOS为例。

对于NMOS：

- 阈值电压（Vth）：通常在0.2V到0.7V之间，具体取决于器件的尺寸和工艺。

- 电流流向：从源极到漏极（S到D）。

对于PMOS：

- 阈值电压（Vth）：通常在-0.2V到-0.7V之间，具体取决于器件的尺寸和工艺。

- 电流流向：从漏极到源极（D到S）。

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说明：阈值电压影响因素：衬底掺杂浓度，金属半导体功函数，栅氧化层电容，关于衬底偏置效应等。

NMOS和PMOS两者的衬底浓度不为相同，然而，衬底浓度越大，对应MOS管的阈值电压也越大，所以一般PMOS的阈值电压都要比NMOS要更大一些。

需要注意的是，以上数据仅供参考，实际的阈值电压和电流流向可能因不同器件和工艺而有所不同。