微碧半导体（VBsemi）最新推出的Si-MOSFET（超结MOSFET）是一款具有优异性能和广泛应用领域的新产品。Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时，漂移层会变厚，导致导通电阻增加的问题。而超结MOSFET通过在D端和S端排列多个垂直pn结的结构来解决这个问题，实现了在保持高电压的同时降低导通电阻。

【硅的理论极限和超越硅极限的超级结】

超结MOSFET的优势在于其具有高耐压和低电阻的特点。相较于普通高压VDMOS，超结MOSFET的导通电阻远小，适用于高能效和高功率密度的快速开关应用。此外，超结MOSFET的额定电压越高，导通电阻的下降越明显，使其在中低功率水平下的高速运行非常适合。

【左边是平面MOS，右边是超结MOS】

超结MOSFET的制造工艺相较于常规MOSFET更加复杂，主要体现在沟槽的填充外延制造方法上。超级结MOSFET通过使沟槽和沟槽间距尽可能小和深，设计具有较低电阻的N层，实现了低导通电阻产品。

【超级结中，trr比平面MOSFET快，irr电流更大】

超结MOSFET相较于平面MOSFET具有更大的pn结面积，因此在内部二极管的反向电流和反向恢复时间方面存在一些问题。虽然超结MOSFET的trr比平面MOSFET快，但irr电流更大。

以下是Si-MOSFET的常规制造工艺和超结制造工艺的对比：

【常规MOS制造工艺】

【超级结的沟槽填充外延制造方法】

此外，Si-MOSFET还与其他器件进行了功率和频率的比较，如IGBT、碳化硅MOS、平面/超结MOS等。

【IGBT、碳化硅MOS、平面/超结MOS的功率和频率比较】

微碧半导体的Si-MOSFET系列产品以其先进的生产工艺、优良的性能和可靠的质量在各个领域得到广泛应用。Si-MOSFET适用于电源、电机控制、照明等领域，特别适合于中低功率水平下的高速运行需求。

以下是Si-MOSFET的一些关键特点和优势：

高耐压：Si-MOSFET具有高额定电压，能够在高压环境下稳定工作。

低导通电阻：Si-MOSFET的导通电阻远小于传统平面MOSFET，能够提供更高的效率和功率密度。

高速开关：Si-MOSFET的超级结结构使其具有快速开关特性，适用于高频率应用。

可靠性：Si-MOSFET的产品质量可靠，性能稳定，适用于各种严苛的工作环境。

【VBsemi Si-MOSFET部分型号展示】

微碧半导体Si-MOSFET系列产品将在2023慕尼黑上海电子展上进行展示。展会将于2023年7月11日至13日在上海国家会展中心举行。此次将展示其最新的Si-MOSFET产品系列，包括SJ-MOSFET、SGT-MOSFET、平面和沟槽工艺的MOSFET和IGBT等。

【VBsemi新品参数展示】

作为一家国家级高新技术企业，微碧半导体致力于推动半导体器件技术的发展，并为客户提供创新的解决方案。

因此，我们诚挚地邀请新老客户前往2023慕尼黑上海电子展7.2H-A606参观微碧半导体的展位。了解最新半导体器件技术和趋势。这将是一个了解行业发展前景的绝佳机会。期待您的光临！