微碧半导体最近推出了一款全新的功率MOSFET产品，名为SGT（Shielded Gate Trench屏蔽栅沟槽）技术。这项技术通过改变MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场变为类似压缩的梯形电场，从而进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rds(on)。微碧的新一代中低压功率MOSFET产品已广泛采用SGT技术。包括VBGQT1102、VBGM1102、VBGL1103、VBGL1805、VBGE1805等型号都有应用该技术。

（Trench MOS和SGT MOS器件结构图）

SGT MOSFET与传统的沟槽型MOSFET相比具有许多优势。SGT工艺挖掘深度比普通沟槽工艺深3-5倍，通过在栅电极下方增加一块多晶硅电极，即屏蔽电极或耦合电极，实现了屏蔽栅极与漂移区的作用。这样一来，SGT MOSFET减小了米勒电容和栅电荷，提高了开关速度并降低了开关损耗。同时，SGT MOSFET减小了漂移区临界电场强度，降低了导通电阻，内阻比普通沟槽型MOSFET低2倍以上。

（Trench MOS和SGT MOS栅电荷对比）

（Trench MOS和SGT MOS的特征电阻对比）

（Trench MOS和SGT MOS的损耗对比）

采用SGT技术制造的MOSFET减小了寄生电容和导通电阻，提升了芯片性能，并减小了芯片面积。与普通沟槽型MOSFET相比，在相同功耗下，SGT MOSFET的芯片面积减少超过40%。此外，SGT MOSFET在雪崩时能够更好地承受雪崩击穿和浪涌电流，具有较高的功率密度。

（应用于同步整流SGT MOS）

随着手机快充、电动汽车、无刷电机和移动储能的兴起，中低压MOSFET的需求越来越大。SGT MOSFET作为中低压MOSFET的代表，被广泛应用于手机快充、电机驱动和电源管理系统等领域，成为核心功率关键部件。

（VBsemi SGT MOS型号展示）

微碧半导体的中低压SGT系列产品以其先进的生产工艺、优良的性能和良好的口碑在各个领域得到广泛应用。这些产品具有较低的导通电阻和导通损耗，能够减小漂移区临界电场强度，提高芯片耐压能力。微碧半导体将携带这些最新的MOS管产品线，包括SGT MOS、平面和沟槽工艺的MOSFET以及多层外延超结MOSFET，在2023慕尼黑上海电子展上进行展示。展会将于2023年7月11日至13日在上海国家会展中心举行，微碧半导体的展位号是7.2H-A606。

（展会平面图）

在展会上，参观者将有机会与微碧半导体的技术专家进行交流和沟通，了解更多关于SGT MOSFET产品和技术的详细信息。此外，微碧半导体还将展示在IGBT和宽带隙材料领域的最新研发成果。

作为一家国家级高新技术企业，微碧半导体一直致力于推动半导体器件技术的发展，并为客户提供创新的解决方案。他们的产品质量可靠，性能稳定，广泛应用于电源、电机控制、照明等领域。

因此，我们诚挚地邀请新老客户前往2023慕尼黑上海电子展参观微碧半导体的展位。这将是一个了解最新半导体器件技术和趋势的绝佳机会。我们期待着您的光临，并与您共同探讨半导体器件领域的发展前景。