电路图如下，

采用的单片机输出PWM控制达到调整电流的目的，但MOS管压降太大10V左右，温度很高。。输出电流大概控制在250mA左右

求解。。换成三极管驱动也不行，图腾柱式驱动压降也依旧很大。

注：12V和管沟间有加了个1K的电阻 原理图忘画了

问题二

想做一个电流负载箱，有N个电阻，大小为0.1欧姆的，电流最大为AC120A，功率最大到2000W，电阻上有14个出头

请问要如何接线？

注：主要是要通比较大的电流，所以想在电阻上分一下，以至于电阻能承受

上期答案：

1.导通对电感充电后,电感电势需要2进行放电,再有1充电,循环往复,就形成了交变电压电流,变压器输出端就能够感应电压输出,他们的交流电压输出频率就有1,2管,转换率确定.

2. 在低频条件下，这个电阻有点安慰性质，不接也罢。但在高频时，情况就变了，MOSFET的输入阻抗将降低，而且在某个频率范围内将变成负阻，会发生振荡。为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小集电极的电压尖峰,应在栅极串上合适的电阻 Rg .当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值.通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中,还应根据实际情况予以适当调整 ) .另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏器件,建议在栅源间加入一电阻 Rge ,阻值为 10 k Ω左右.这个Rg的值，你可以在datasheet中，Td on 和Td off一栏后面可以见到。