为什么MOS管压降这么大呢？

图一

这是一款产品设计实例，要求是低功耗，因为有蓝牙，所以弄了一个NMOS管用来低功耗时切断蓝牙电源。MOS管用的是FDV301。可是发现，MOS导通时，VCC是3.3V,VCC1只2.67V，所以蓝牙根本连不上。

请问为什么MOS管压降这么大呢？电路应该怎么改呢？

MOS管经常性烧坏是哪里设计出了问题了？

图二

如图二，这是一个利用P-MOS组成的开关电路。B+是电池端，当开关按键按下后单片机获得供电即将IO口置1，MOS管G极获得持续低电平，实现开机。现在的问题是MOS管经常性烧坏，请问是哪里设计出了问题了。

注：

1. G极为0时导通电压正常，基本无压差

2. 经低频开关测试，无异常现象出现

【上期问题解答】

问题一：STTH3010W快恢复二极管，If（av）=30A，Vrrm=1000V， DO-247封装，可加装大型低热阻散热片，

这个够用的，如果还不够用，可以降低一下Vrrm到600V，这样就可以选用IDW100E60FKSA1这样的功率二极管，峰值400A，平均正向电流150A，TO-247封装，可以上散热器，甚至是主动散热。

如果还抗不住，可以考虑在电力器件中选型了，像是IGBT，有270A的，不过控制电路要更复杂。

问题二：前端LC低通滤波的作用，主要是滤除高频成分放置喇叭自激烧毁同时兼顾一定的阻抗匹配作用，看描述只是说它不会降低MOS管的电压应力并没有说减小MOS管的冲击，个人觉得这个RC电路是用来对喇叭负载的冲击电流进行抑制的.

另外前端LC低通滤波的作用，主要是滤除高频成分，防止喇叭自激烧毁。高频成分的来源，是功放芯片推挽输出时MOS管的高频开关，即输出PWM波形的高频，LC肯定不能100%的滤除的，但是是要衰减到一定程度对喇叭没影响即可。还有喇叭在高频干扰的情况下，一般很容易发生自激震荡造成烧毁的，喇叭一般对直流和高频都比较敏感

注：RC电路是用来对喇叭负载的冲击电流进行抑制的，因为喇叭也是有线圈的又有磁铁，也是个电感，所以喇叭自身也有一定的冲击电流，所以有些设计专门对喇叭加续流二极管。