在高压下MOS与IGBT元器件要怎么做短路保护呢？下面由小编来给您讲解下

首先在3脚的排序上，先以带有短路保护锁定的驱动的3脚为短路信号检测入端;然后2脚为驱动地;最后1脚为驱动输出。

　　这样如果电路存在短路，那么流过MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET简称MOS）的电流很大在S极电阻两端产生的压降导致三极管由截止进入导通(当然导到什么程度具体跟MOS的跨导有关系)，因此驱动电阻上面有压降，MOS进入放大区。这个时候高电压就不会通过MOS进行强电流放电，这样芯片就不会有局部过热的可能，能在很短的时间内保护电路检测到短路存在关闭并锁定驱动电压输出，这样MOS就仅仅承受了动作时间内的恒流功率损耗，安全性能得到了很大提高。

　　当然小编发布的电路仅作为理解原理，实际使用上具体参数还是要看实际工况选取的。

　　S级的电阻是根据你选定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)选定的,至于跨导这个不是主要因数;这里三极管并不工作在开关状态他只是根据MOS的瞬态电流值调整MOS的驱动电压,保证在短路出现的时候IDM不至于超出安全工作范围,这个时候由于在1US甚至更短的时间内驱动已经被关断并锁定,所以不存在过功损耗.三极管的反映时间越快越好.其实这个电路是电流负反馈电路演变过来的.电路如下: