那么半导体芯片是怎么被制造出来的呢？下面我们就来简单介绍下。

大致来说，制造半导体芯片分为生产晶圆、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、互连、测试、封装这几个步骤。

要获得晶圆，首先要准备生产晶圆的材料，我们最常用的材料便是硅。自然界中硅砂很多，但硅砂中包含的杂质太多，不能直接拿来用，需要对它进行提炼。我们将提炼后得到的高纯硅熔化成液体，然后利用提拉法得到原子排列整齐的晶锭，提拉法长出来的晶锭就是圆柱体，接着再将其切割成一定厚度的薄片。切割后获得的薄片便是未经加工的“原料晶圆”。

此时它们表面凹凸不平，还需要先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵，然后通过抛光形成光洁的表面，再通过清洗去除残留污染物，即可获得表面整洁的成品晶圆。

得到晶圆后，便来到第二步，氧化。

氧化过程的作用是在晶圆表面形成保护膜。将清洁完成后的晶圆置于800至1200摄氏度的高温环境下，通过氧气在晶圆表面的流动形成氧化层。它可以保护晶圆不受化学杂质影响、避免漏电电流进入电路、预防离子植入过程中的扩散以及防止晶圆在刻蚀时滑脱。

接着便开始第三步，光刻。

光刻是通过光线将电路图案“印刷”到晶圆上，这期间需经过涂覆光刻胶、曝光和显影三个步骤，我们可以将其理解为在晶圆表面绘制半导体制造所需的平面图。电路图案的精细度越高，成品芯片的集成度就越高，必须通过先进的光刻技术才能实现。

然后便是第四步，刻蚀。

在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。

在刻蚀的过程中，还需经历第五步，薄膜沉积。

为了创建芯片内部的微型器件，我们需要不断地沉积一层层的薄膜并通过刻蚀去除掉其中多余的部分，另外还要添加一些材料将不同的器件分离开来。每个晶体管或存储单元就是通过这个过程一步步构建起来的。

通过晶圆的光刻、刻蚀和沉积工艺可以构建出晶体管等元件，但还需要将它们连接起来才能实现电力与信号的发送与接收，这便是第六步的互连。

连接好后便开始对半导体芯片进行测试。

测试的主要目的是检验半导体芯片的质量是否达到一定标准，从而消除不良产品、并提高芯片的可靠性。另外，经测试有缺陷的产品不会进入封装步骤，有助于节省成本和时间，其次因为某些不良芯片是可以修复的。

最后便是对质量合格的芯片开始封装。

整个封装过程又分为五步，即晶圆锯切、单个晶片附着、互连、成型和封装测试。经过之前几个工艺处理的晶圆上会形成大小相等的方形芯片。下面要做的就是通过切割获得单独的芯片。刚切割下来的芯片很脆弱且不能交换电信号，需要单独进行处理。这一处理过程就是封装，包括在半导体芯片外部形成保护壳和让它们能够与外部交换电信号。

经历过最后的封装测试的芯片便是具有最终形态的芯片，它们将被运用到各行各业的产品中。

当然这也只是说大致分为这几步，实际上半导体芯片的制造过程极为复杂且流程繁多，每一个流程又有许多其他工作，而且要求也极为严苛。

大家可以谈谈我国要自主生产高制程芯片，还有哪些技术难关要攻破。