VBGM1101 是 VBsemi 推出的采用 SGT（屏蔽栅沟槽）技术的高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装，具备极低的导通电阻（2mΩ @ VGS=10V）和高达 340A 的漏极电流能力，同时耐压达到 100V。其优异的导通特性与低开关损耗使其适用于高功率、高效率要求的电源转换系统。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 100V | 20（±V） | 3V | 340A | 2mΩ | SGT |
配置：Single N
漏源电压 VDS(V)：100
栅源电压 VGS(±V)：20
阈值电压 Vth(V)：3
导通电阻 RDS(on) @ VGS=10V：2 mΩ
连续漏极电流 ID(A)：340
技术：SGT
封装：TO-220
电源转换：大功率 DC-DC 变换器、AC-DC 整流后级同步整流，利用低 RDS(on) 减少发热。
电机驱动：电动工具、无人机、机器人、工业变频器中的三相全桥或 H 桥驱动。
电池保护：电动自行车、储能系统、UPS 中的电池断路开关或保护板。
负载开关：高侧或低侧大功率负载通断控制，如服务器电源分配、工业加热控制。
逆变器：太阳能逆变器、电焊机、感应加热电源的功率级。
该器件凭借 SGT 技术与 TO-220 封装，适合对导通电阻和热性能有严苛要求的工业及消费电子场景。
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