牧光互补储能电站功率链路总拓扑图
graph LR
%% 光伏输入与初级变换部分
subgraph "光伏输入与DC/DC升压级"
PV_ARRAY["光伏阵列 \n 600-800VDC"] --> PV_PROTECTION["防反接/防雷浪涌保护 \n (MOV+GDT)"]
PV_PROTECTION --> EMI_FILTER1["DC EMI滤波器"]
EMI_FILTER1 --> BOOST_INPUT["DC/DC升压输入"]
subgraph "高压侧MOSFET阵列"
Q_BOOST1["VBM185R04 \n 850V/4A/TO-220"]
Q_BOOST2["VBM185R04 \n 850V/4A/TO-220"]
end
BOOST_INPUT --> BOOST_INDUCTOR["升压电感"]
BOOST_INDUCTOR --> BOOST_SW_NODE["升压开关节点"]
BOOST_SW_NODE --> Q_BOOST1
BOOST_SW_NODE --> Q_BOOST2
Q_BOOST1 --> HV_BUS["高压直流母线 \n 800-1000VDC"]
Q_BOOST2 --> HV_BUS
BOOST_CONTROLLER["升压控制器"] --> GATE_DRIVER_BOOST["升压驱动器"]
GATE_DRIVER_BOOST --> Q_BOOST1
GATE_DRIVER_BOOST --> Q_BOOST2
HV_BUS --> VOLTAGE_FEEDBACK["电压反馈"] --> BOOST_CONTROLLER
end
%% 储能电池双向DC/DC部分
subgraph "储能电池双向DC/DC变换"
BATTERY_BANK["储能电池组 \n 200-600VDC"] --> BAT_PROTECTION["电池保护电路"]
BAT_PROTECTION --> BIDIRECTIONAL_DC_DC["双向DC/DC变换器"]
subgraph "低压大电流MOSFET阵列"
Q_BIDI1["VBGPB1252N \n 250V/100A/TO3P"]
Q_BIDI2["VBGPB1252N \n 250V/100A/TO3P"]
Q_BIDI3["VBGPB1252N \n 250V/100A/TO3P"]
Q_BIDI4["VBGPB1252N \n 250V/100A/TO3P"]
end
BIDIRECTIONAL_DC_DC --> Q_BIDI1
BIDIRECTIONAL_DC_DC --> Q_BIDI2
BIDIRECTIONAL_DC_DC --> Q_BIDI3
BIDIRECTIONAL_DC_DC --> Q_BIDI4
Q_BIDI1 --> HV_BUS
Q_BIDI2 --> HV_BUS
Q_BIDI3 --> HV_BUS
Q_BIDI4 --> HV_BUS
BIDI_CONTROLLER["双向控制器"] --> GATE_DRIVER_BIDI["大电流驱动器"]
GATE_DRIVER_BIDI --> Q_BIDI1
GATE_DRIVER_BIDI --> Q_BIDI2
GATE_DRIVER_BIDI --> Q_BIDI3
GATE_DRIVER_BIDI --> Q_BIDI4
CURRENT_SENSE["高精度电流检测"] --> BIDI_CONTROLLER
end
%% DC/AC逆变与输出部分
subgraph "DC/AC逆变与电网接口"
HV_BUS --> DC_AC_INVERTER["三相逆变器"]
subgraph "逆变器开关阵列"
Q_INV1["IGBT/SiC模块"]
Q_INV2["IGBT/SiC模块"]
Q_INV3["IGBT/SiC模块"]
end
DC_AC_INVERTER --> Q_INV1
DC_AC_INVERTER --> Q_INV2
DC_AC_INVERTER --> Q_INV3
Q_INV1 --> AC_FILTER["LCL滤波器"]
Q_INV2 --> AC_FILTER
Q_INV3 --> AC_FILTER
AC_FILTER --> GRID_CONNECTION["电网连接点 \n 380VAC/50Hz"]
GRID_CONNECTION --> LOCAL_LOADS["本地交流负载"]
INVERTER_CONTROLLER["逆变控制器"] --> GATE_DRIVER_INV["逆变驱动器"]
GATE_DRIVER_INV --> Q_INV1
GATE_DRIVER_INV --> Q_INV2
GATE_DRIVER_INV --> Q_INV3
end
%% 负载分配与智能管理
subgraph "智能负载分配与管理"
CONTROL_MCU["主控MCU/DSP"] --> LOAD_MANAGER["负载管理器"]
subgraph "智能负载开关阵列"
SW_LOAD1["VBA3108N \n 双路100V/5.8A/SOP8"]
SW_LOAD2["VBA3108N \n 双路100V/5.8A/SOP8"]
SW_LOAD3["VBA3108N \n 双路100V/5.8A/SOP8"]
end
LOAD_MANAGER --> SW_LOAD1
LOAD_MANAGER --> SW_LOAD2
LOAD_MANAGER --> SW_LOAD3
GRID_CONNECTION --> SW_LOAD1
GRID_CONNECTION --> SW_LOAD2
GRID_CONNECTION --> SW_LOAD3
SW_LOAD1 --> LOAD_WATER["制水设备"]
SW_LOAD1 --> LOAD_FEED["饲料加工"]
SW_LOAD2 --> LOAD_LIGHT["棚圈照明"]
SW_LOAD2 --> LOAD_TEMP["温控系统"]
SW_LOAD3 --> LOAD_COMM["通信设备"]
SW_LOAD3 --> LOAD_MONITOR["监控系统"]
end
%% 保护与监控系统
subgraph "系统保护与监控"
subgraph "保护电路"
OVERVOLTAGE["过压保护"]
OVERCURRENT["过流保护(DESAT检测)"]
OVERTEMP["过温保护(NTC)"]
RC_SNUBBER["RC吸收电路"]
end
subgraph "监测传感器"
VOLTAGE_SENSORS["电压传感器"]
CURRENT_SENSORS["电流传感器"]
TEMP_SENSORS["温度传感器阵列"]
end
OVERVOLTAGE --> PROTECTION_LOGIC["保护逻辑"]
OVERCURRENT --> PROTECTION_LOGIC
OVERTEMP --> PROTECTION_LOGIC
RC_SNUBBER --> Q_INV1
RC_SNUBBER --> Q_BOOST1
VOLTAGE_SENSORS --> CONTROL_MCU
CURRENT_SENSORS --> CONTROL_MCU
TEMP_SENSORS --> CONTROL_MCU
PROTECTION_LOGIC --> SHUTDOWN["系统关断信号"]
SHUTDOWN --> GATE_DRIVER_BOOST
SHUTDOWN --> GATE_DRIVER_BIDI
SHUTDOWN --> GATE_DRIVER_INV
end
%% 热管理系统
subgraph "三级热管理架构"
COOLING_LEVEL1["一级: 液冷/热管散热"] --> Q_BIDI1
COOLING_LEVEL1 --> Q_BIDI2
COOLING_LEVEL2["二级: 强制风冷散热"] --> Q_BOOST1
COOLING_LEVEL2 --> Q_INV1
COOLING_LEVEL3["三级: PCB导热与自然散热"] --> SW_LOAD1
COOLING_LEVEL3 --> CONTROL_MCU
TEMP_CONTROLLER["温控器"] --> FAN_CONTROL["风扇PWM控制"]
TEMP_CONTROLLER --> PUMP_CONTROL["液冷泵控制"]
FAN_CONTROL --> COOLING_FANS["冷却风扇组"]
PUMP_CONTROL --> LIQUID_PUMP["液冷循环泵"]
end
%% 通信与监控
CONTROL_MCU --> CAN_BUS["CAN通信"]
CONTROL_MCU --> RS485["RS485通信"]
CONTROL_MCU --> ETHERNET["以太网通信"]
CAN_BUS --> BMS["电池管理系统(BMS)"]
RS485 --> METER["电能计量表"]
ETHERNET --> SCADA["SCADA监控系统"]
SCADA --> CLOUD_PLATFORM["云平台"]
%% 样式定义
style Q_BOOST1 fill:#e8f5e8,stroke:#4caf50,stroke-width:2px
style Q_BIDI1 fill:#e3f2fd,stroke:#2196f3,stroke-width:2px
style SW_LOAD1 fill:#fff3e0,stroke:#ff9800,stroke-width:2px
style CONTROL_MCU fill:#fce4ec,stroke:#e91e63,stroke-width:2px
在牧光互补储能系统朝着高能量密度、高可靠性与智能化管理不断演进的今天，其内部的功率转换与管理系统已不再是简单的能量通路，而是直接决定了电站能源利用率、系统寿命与投资回报的核心。一条设计精良的功率链路，是实现光伏波动平抑、储能高效充放、以及负载稳定供电的物理基石。
然而，构建这样一条链路面临着多维度的挑战：如何在提升全周期效率与降低初期成本之间取得平衡？如何确保功率器件在野外严苛工况下的长期可靠性？又如何将高电压大电流处理、热管理与智能保护无缝集成？这些问题的答案，深藏于从关键器件选型到系统级集成的每一个工程细节之中。
一、核心功率器件选型三维度：电压、电流与拓扑的协同考量
1. DC/DC升压或光伏输入级MOSFET：系统效率与耐压的第一道关口
关键器件为 VBM185R04 (850V/4A/TO-220)，其选型需要进行深层技术解析。在电压应力分析方面，考虑到光伏组串开路电压可能高达600-800VDC，并为开关尖峰及雷击浪涌预留充足裕量，850V的耐压等级提供了稳健的降额保障（实际应力低于额定值的75%）。这对于应对高原、荒漠地区频繁的雷击与电网波动至关重要。在动态特性与损耗权衡上，其平面（Planar）技术虽在导通电阻（2.7Ω @10V）上不占优势，但适用于开关频率相对较低（如20-50kHz）、更注重成本与电压稳健性的初级侧拓扑。热设计需重点关联，TO-220封装在强制风冷下的热阻可降至约40℃/W，必须精确计算最坏情况下的结温：Tj = Ta + (P_cond + P_sw) × Rθja，其中P_cond = I_rms² × Rds(on) × Kt（需重点考虑高温下的Rds(on)倍增系数）。
2. 储能电池双向DC/DC或电机驱动级MOSFET：高效率与高功率密度的决定性因素
关键器件选用 VBGPB1252N (250V/100A/TO3P)，其系统级影响可进行量化分析。在效率提升方面，以储能侧持续工作电流50A为例：传统方案（内阻25mΩ）的导通损耗为 50² × 0.025 = 62.5W，而本方案（内阻16mΩ）的导通损耗为 50² × 0.016 = 40W，单管效率提升显著，对于多管并联的大功率系统，总损耗降低和散热压力减小效果极为可观。其SGT（屏蔽栅沟槽）技术实现了低栅极电荷与低导通电阻的优异平衡，特别适合用于高频（如50-100kHz）软开关拓扑，以提升功率密度。驱动电路设计要点包括：需要强劲的驱动芯片（峰值电流不小于4A）以快速控制其大栅极电容，栅极电阻需精细调校以平衡开关速度与EMI，并采用TVS管进行严格的栅极电压箝位保护。
3. 负载分配与智能关断级MOSFET：系统模块化与智能化的硬件实现者
关键器件是 VBA3108N (双路100V/5.8A/SOP8)，它能够实现精细的能源管理与保护。典型的负载管理逻辑可以根据电站运行状态动态调整：当光照充足且电池满电时，智能接通制水、饲料加工等生产性负载；当夜间或阴天时，优先保障棚圈照明、温控等关键负载，并切断非必要回路；在系统故障时，可实现毫秒级的分路隔离，防止故障扩大。这种逻辑实现了能源优化分配、系统安全与设备寿命的平衡。在PCB布局优化方面，采用双N沟道集成设计极大节省了控制板空间，简化了驱动电路，并将多路控制的寄生参数保持一致，提升了管理的一致性与可靠性。
二、系统集成工程化实现
1. 多层级热管理架构
我们设计了一个三级散热系统。一级强化风冷/液冷散热针对VBGPB1252N这类大电流MOSFET，采用铜基板或直接安装在散热冷板上，目标是将壳温升控制在35℃以内，确保大电流下的长期可靠性。二级强制风冷散热面向VBM185R04这样的高压MOSFET，通过独立风道和翅片散热器管理热量，目标温升低于50℃，避免高温对耐压能力的负面影响。三级自然散热与PCB导热则用于VBA3108N等多路负载开关，依靠大面积敷铜和机柜内空气流动，目标温升小于30℃。具体实施方法包括：为高压大电流MOSFET配备热管或液冷散热模组；在功率母排与PCB功率路径上使用厚铜层或嵌铜块；在所有发热器件下方布置密集的散热过孔阵列（建议孔径0.4mm，间距1.2mm）连接到内部接地散热层。
2. 电磁兼容性与可靠性设计
对于传导EMI抑制，在DC/AC逆变器输入级部署高性能差共模滤波器；开关节点采用叠层母排或紧密绞合布线以最小化功率环路面积（目标小于5cm²）。针对辐射EMI，对策包括：机柜采用完整导电连续性良好的屏蔽设计；对高频开关信号线使用屏蔽电缆；在IGBT/MOSFET的集电极-发射极间并联RC吸收电路以抑制电压尖峰。可靠性增强设计是电站的生命线：在直流侧（光伏和电池）部署防反接和防雷浪涌保护电路（MOV、GDT）；为所有功率MOSFET配置独立的过流保护（DESAT检测）和过温保护（NTC直接贴装）；采用冗余驱动电源和状态反馈电路，确保任何单点故障不导致系统宕机。
三、性能验证与测试方案
1. 关键测试项目及标准
为确保设计满足25年运营要求，需要执行一系列严苛测试。系统转换效率测试在宽输入电压范围（如250-800VDC）和负载范围（10%-100%）下进行，采用高精度功率分析仪测量，加权效率（如CEC效率）合格标准不低于97%。温升与热循环测试在最高环境温度（如50℃）下满载运行至热稳定，并使用热像仪监测，关键器件结温（Tj）必须低于125℃且留有至少20℃裕量。开关波形与应力测试在满载及短路条件下用高压差分探头观察，要求Vds电压过冲不超过15%，开关损耗在安全范围内。可靠性加速测试包括高温高湿（85℃/85% RH）、高低温循环（-40℃~+85℃）及振动测试，模拟野外严酷环境，要求在规定周期内无性能退化。
2. 设计验证实例
以一个100kW储能变流器（PCS）的功率模块测试数据为例（输入电压：600VDC， 输出：380VAC/50Hz， 环境温度：40℃），结果显示：DC/DC升压阶段效率在额定功率时达到98.5%；DC/AC逆变阶段效率为98.0%；整机额定点效率为96.6%。关键点温升方面，高压侧MOSFET（VBM185R04同类）为45℃，低压侧MOSFET（VBGPB1252N同类）为38℃，智能开关IC为22℃。系统可靠性方面，通过了10次/秒的负载阶跃测试和模拟电网故障的穿越测试。
四、方案拓展
1. 不同功率等级的方案调整
针对不同电站规模，方案需要相应调整。中小型户用/牧场级系统（功率10-30kW）可选用TO-247封装的MOSFET进行单模块设计，采用自然冷却或强制风冷。大型集中式电站（功率100-500kW）可采用本文所述的核心方案，采用多模块并联与液冷散热系统。兆瓦级集装箱系统（功率1MW以上）则需要在DC/DC和DC/AC级均采用IGBT或SiC MOSFET模块，并配备中央液冷系统和先进的均流控制算法。
2. 前沿技术融合
智能预测性维护是未来的发展方向之一，可以通过在线监测MOSFET的导通压降（Vds(on)）变化来评估其健康状态，或利用大数据分析散热器温升曲线预测风扇或水泵的性能衰减。
数字控制与宽禁带半导体融合提供了更大潜力：采用基于SiC MOSFET的三电平（T型或NPC）拓扑，可将系统效率再提升1-2%，同时大幅减小滤波器体积；结合AI算法，实现电站运行模式的动态最优切换，最大化“牧”与“光”的互补效益。
宽禁带半导体应用路线图可规划为三个阶段：第一阶段是当前高性价比的Si MOS/SGT方案；第二阶段（未来1-3年）在高压侧引入SiC MOSFET，将系统效率推向99%以上；第三阶段（未来3-5年）探索GaN器件在更高频辅助电源中的应用，进一步提升功率密度。
高端牧光互补储能电站的功率链路设计是一个集高电压、大电流、高可靠性与智能控制于一体的系统工程，需要在电气性能、热管理、环境适应性与全生命周期成本之间取得精妙平衡。本文提出的分级优化方案——高压输入级注重电压耐受性与稳健性、大电流变换级追求极致效率与功率密度、智能分配级实现精细化管理——为构建安全、高效、长寿的绿色能源系统提供了清晰的实施路径。
随着能源互联网和人工智能技术的深度融合，未来的电站功率管理将朝着全面智能化、自适应化和可预测化的方向发展。建议工程师在采纳本方案基础框架的同时，重点考虑器件的降额设计、系统的模块化与冗余性，为电站长期稳定运行和未来技术升级做好充分准备。
最终，卓越的功率设计是电站稳定运行的隐形守护者，它不直接产生能量，却通过更高的转换效率、更强的环境适应性、更长的无故障运行时间，为清洁能源的可靠供给和牧场经济的可持续发展提供坚实保障。这正是电力电子工程智慧在新能源时代的核心价值所在。
详细拓扑图
光伏输入与DC/DC升压拓扑详图
graph TB
subgraph "光伏输入保护与滤波"
PV[光伏阵列] --> SPD[防雷保护器]
SPD --> REVERSE_PROTECTION[防反接二极管]
REVERSE_PROTECTION --> INPUT_CAP[输入电容组]
INPUT_CAP --> EMI_FILTER[差共模EMI滤波器]
end
subgraph "DC/DC升压变换器"
EMI_FILTER --> BOOST_IND[升压电感]
BOOST_IND --> SW_NODE[开关节点]
SW_NODE --> MOSFET1[VBM185R04]
SW_NODE --> MOSFET2[VBM185R04]
MOSFET1 --> HV_BUS[高压直流母线]
MOSFET2 --> HV_BUS
GND[初级地] --> MOSFET1
GND --> MOSFET2
end
subgraph "控制与驱动"
CONTROLLER[升压控制器] --> DRIVER[栅极驱动器]
DRIVER --> MOSFET1
DRIVER --> MOSFET2
HV_BUS --> VOLTAGE_DIVIDER[电压分压采样]
VOLTAGE_DIVIDER --> CONTROLLER
SW_NODE --> CURRENT_SENSE[电流检测]
CURRENT_SENSE --> CONTROLLER
end
subgraph "缓冲与保护"
RCD_BUFFER[RCD缓冲电路] --> SW_NODE
RC_SNUBBER[RC吸收电路] --> MOSFET1
TVS_ARRAY[TVS保护阵列] --> DRIVER
OVERVOLTAGE[过压保护电路] --> CONTROLLER
end
style MOSFET1 fill:#e8f5e8,stroke:#4caf50,stroke-width:2px
储能电池双向DC/DC拓扑详图
graph LR
subgraph "电池接口与保护"
BAT[储能电池] --> BMS_CONN[BMS接口]
BMS_CONN --> PRE_CHARGE[预充电电路]
PRE_CHARGE --> CONTACTOR[主接触器]
CONTACTOR --> BAT_FUSE[熔断器]
BAT_FUSE --> DC_LINK[电池侧直流链路]
end
subgraph "双向DC/DC变换拓扑"
DC_LINK --> PHASE_A[A相桥臂]
DC_LINK --> PHASE_B[B相桥臂]
DC_LINK --> PHASE_C[C相桥臂]
subgraph "A相桥臂"
Q_A1[VBGPB1252N]
Q_A2[VBGPB1252N]
Q_A3[VBGPB1252N]
Q_A4[VBGPB1252N]
end
subgraph "B相桥臂"
Q_B1[VBGPB1252N]
Q_B2[VBGPB1252N]
Q_B3[VBGPB1252N]
Q_B4[VBGPB1252N]
end
subgraph "C相桥臂"
Q_C1[VBGPB1252N]
Q_C2[VBGPB1252N]
Q_C3[VBGPB1252N]
Q_C4[VBGPB1252N]
end
PHASE_A --> Q_A1
PHASE_A --> Q_A2
PHASE_A --> Q_A3
PHASE_A --> Q_A4
PHASE_B --> Q_B1
PHASE_B --> Q_B2
PHASE_B --> Q_B3
PHASE_B --> Q_B4
PHASE_C --> Q_C1
PHASE_C --> Q_C2
PHASE_C --> Q_C3
PHASE_C --> Q_C4
Q_A1 --> TRANSFORMER[高频变压器]
Q_A2 --> TRANSFORMER
Q_B1 --> TRANSFORMER
Q_B2 --> TRANSFORMER
Q_C1 --> TRANSFORMER
Q_C2 --> TRANSFORMER
TRANSFORMER --> HV_SIDE[高压侧]
end
subgraph "控制与均流"
MASTER_CONTROLLER[主控制器] --> SLAVE_A[A相控制器]
MASTER_CONTROLLER --> SLAVE_B[B相控制器]
MASTER_CONTROLLER --> SLAVE_C[C相控制器]
SLAVE_A --> DRIVER_A[A相驱动器]
SLAVE_B --> DRIVER_B[B相驱动器]
SLAVE_C --> DRIVER_C[C相驱动器]
DRIVER_A --> Q_A1
DRIVER_A --> Q_A2
DRIVER_B --> Q_B1
DRIVER_B --> Q_B2
DRIVER_C --> Q_C1
DRIVER_C --> Q_C2
CURRENT_SHARE[均流总线] --> MASTER_CONTROLLER
end
subgraph "电流与温度检测"
SHUNT_RESISTOR[分流电阻] --> AMPLIFIER[电流放大器]
AMPLIFIER --> ADC[ADC采样]
ADC --> MASTER_CONTROLLER
NTC_SENSOR[NTC温度传感器] --> MASTER_CONTROLLER
end
style Q_A1 fill:#e3f2fd,stroke:#2196f3,stroke-width:2px
热管理与保护拓扑详图
graph TB
subgraph "三级热管理系统"
LEVEL1["一级: 大功率器件液冷"]
LEVEL2["二级: 高压器件强制风冷"]
LEVEL3["三级: 控制器件自然散热"]
LEVEL1 --> COLD_PLATE1[液冷板1]
LEVEL1 --> COLD_PLATE2[液冷板2]
LEVEL2 --> HEATSINK1[翅片散热器1]
LEVEL2 --> HEATSINK2[翅片散热器2]
LEVEL3 --> PCB_COPPER[PCB大面积敷铜]
LEVEL3 --> THERMAL_VIAS[散热过孔阵列]
COLD_PLATE1 --> MOSFET_BANK1[大电流MOSFET组]
COLD_PLATE2 --> MOSFET_BANK2[大电流MOSFET组]
HEATSINK1 --> HV_MOSFETS[高压MOSFET]
HEATSINK2 --> IGBT_MODULES[IGBT模块]
PCB_COPPER --> CONTROL_ICS[控制IC]
THERMAL_VIAS --> POWER_ICS[功率IC]
end
subgraph "温度监测网络"
TEMP_SENSOR1[NTC传感器1] --> MCU[温度管理MCU]
TEMP_SENSOR2[NTC传感器2] --> MCU
TEMP_SENSOR3[NTC传感器3] --> MCU
TEMP_SENSOR4[NTC传感器4] --> MCU
INFRARED[红外热像仪接口] --> MCU
MCU --> PWM_CONTROLLER[PWM控制器]
PWM_CONTROLLER --> FAN_DRIVER[风扇驱动器]
PWM_CONTROLLER --> PUMP_DRIVER[水泵驱动器]
FAN_DRIVER --> FANS[冷却风扇组]
PUMP_DRIVER --> PUMP[液冷循环泵]
end
subgraph "热保护策略"
MCU --> TEMP_THRESHOLDS[温度阈值比较]
TEMP_THRESHOLDS --> LEVEL1_ALERT[一级报警:降额]
TEMP_THRESHOLDS --> LEVEL2_ALERT[二级报警:限流]
TEMP_THRESHOLDS --> LEVEL3_ALERT[三级报警:关断]
LEVEL1_ALERT --> POWER_DERATING[功率降额控制]
LEVEL2_ALERT --> CURRENT_LIMIT[电流限制控制]
LEVEL3_ALERT --> SHUTDOWN_SIGNAL[系统关断信号]
SHUTDOWN_SIGNAL --> GATE_DRIVERS[所有栅极驱动器]
end
subgraph "散热结构设计"
COPPER_BASE[铜基板] --> INSULATION[绝缘层]
INSULATION --> AL_HEATSINK[铝散热器]
THERMAL_PAD[导热垫] --> COMPONENT[功率器件]
HEAT_PIPE[热管] --> FAN_COOLER[风扇散热器]
LIQUID_COOLING[液冷通道] --> RADIATOR[散热器]
RADIATOR --> AMBIENT_AIR[环境空气]
end
style MOSFET_BANK1 fill:#e3f2fd,stroke:#2196f3,stroke-width:2px
style HV_MOSFETS fill:#e8f5e8,stroke:#4caf50,stroke-width:2px
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