在电源模块、电池保护电路、负载开关、便携设备及各类低压高效开关应用场景中，ROHM（罗姆）的RTQ035N03TR凭借其低导通电阻与小尺寸TSMT6封装，成为空间受限且追求效率的设计的重要选择。然而，在当前供应链本土化与成本优化的强烈需求下，进口器件面临的交期波动、采购成本攀升及技术支持距离感等痛点日益凸显。为此，选择一款性能相当、供应稳定且兼容无忧的国产替代方案势在必行。VBsemi微碧半导体精准对标，推出VB7322 N沟道功率MOSFET，以其卓越的参数表现、完全兼容的封装与可靠的本地化服务，为替换RTQ035N03TR提供更优解。
参数性能跃升，赋能更高效率与功率密度。作为RTQ035N03TR的针对性增强型替代，VB7322在核心电气参数上实现显著升级：其一，连续漏极电流高达6A，较原型号3.5A提升超过70%，电流承载能力大幅增强，允许设计余量更充裕或支持更高功率负载；其二，导通电阻显著降低，在4.5V驱动电压下表现优异，在10V驱动电压下更可低至26mΩ，远优于原型号的54mΩ（@4.5V），导通损耗大幅减少，有助于提升系统整体能效，减少发热，特别适用于对温升敏感的高密度设计；其三，支持±20V栅源电压，提供了更强的栅极抗干扰能力，确保在复杂供电环境下的工作稳定性。1.7V的典型栅极阈值电压，兼容主流低压驱动IC，便于电路设计。
先进沟槽技术保障，兼具高效与可靠。RTQ035N03TR的核心优势在于低导通电阻，VB7322采用成熟的Trench（沟槽）工艺技术，在继承这一优势的同时进一步强化。该技术确保了极低的导通损耗与优异的开关特性，同时，器件经过严格的可靠性测试，确保了在各类开关应用中的长期稳定运行。其设计充分考虑了低压应用的快速开关需求，能够在不牺牲可靠性的前提下，满足高效率电源转换与精准负载控制的要求。
封装完全兼容，实现无缝直接替换。VB7322采用SOT23-6封装，其引脚定义、封装尺寸及焊盘布局与RTQ035N03TR所使用的TSMT6封装完全一致。工程师无需修改现有PCB布局与焊盘设计，即可直接进行替换，真正实现了“即贴即用”，彻底消除了替代过程中的改版成本与验证风险，助力产品快速完成供应链转换。
本土供应与支持，保障稳定与安心。VBsemi微碧半导体依托国内完善的产业链与自主生产能力，确保VB7322的稳定供应与灵活交期，有效规避国际供应链不确定性。同时，公司提供本地化的专业技术支持，可快速响应客户需求，提供从选型指导到应用分析的全方位服务，让替代过程更加顺畅、安心。
从便携式设备、电池管理系统到各类低压DC-DC转换器、负载开关，VB7322凭借“电流更强、损耗更低、封装兼容、供应可靠”的综合优势，已成为RTQ035N03TR国产替代的理想选择。选择VB7322，不仅是一次成功的直接替换，更是提升产品竞争力、优化供应链成本与效率的明智决策。