在便携设备电源管理、低压电机驱动、电池保护电路、智能穿戴设备、低功耗DC-DC转换器等各类低压高能效应用场景中，ROHM罗姆的RXR035N03TCL凭借其低导通电阻与紧凑封装，长期以来成为工程师设计小型化、高效率解决方案时的常用选择。然而，在全球供应链不确定性增加、核心元器件交期波动的背景下，这款进口器件同样面临供货延迟、成本攀升、技术支持响应缓慢等共性挑战，直接影响了下游产品的快速迭代与成本优化。在此背景下，推进国产替代已成为企业保障交付、控制成本、强化自主可控能力的必然选择。VBsemi微碧半导体凭借深厚的功率器件设计经验，推出的VB1307N N沟道MOSFET，精准对标RXR035N03TCL，在关键参数上实现提升、技术路线成熟、封装完全兼容，无需改动原有电路即可直接替换，为各类低压电子系统提供更高效、更经济、服务更及时的本土化解决方案。
参数显著优化，性能表现更出色，赋能高能效设计。作为RXR035N03TCL的国产替代优选，VB1307N在核心电气参数上实现了针对性增强：其一，连续漏极电流提升至5A，较原型号的3.5A大幅提高约42.9%，显著增强了器件的电流处理能力，在驱动电机或负载瞬变等场景中提供更充裕的余量，系统可靠性更高；其二，导通电阻典型值低至47mΩ（@10V驱动电压），优于原型号的50mΩ，导通损耗进一步降低，有助于提升整机效率，尤其在电池供电设备中可有效延长续航时间；其三，支持±20V栅源电压，具备良好的栅极抗干扰性。1.7V的栅极阈值电压设计，兼顾了低压驱动兼容性与可靠关断，可轻松适配主流低压驱动IC，替换过程简单便捷。
先进沟槽技术赋能，兼顾高效率与高可靠性。RXR035N03TCL以其低导通电阻见长，而VB1307N采用成熟的Trench工艺技术，在保持低导通电阻优势的同时，进一步优化了开关特性与可靠性。器件经过严格的可靠性测试，具备优异的稳态与动态性能，在高频开关应用中开关损耗更低，温升控制更优。其工作温度范围宽，能够适应各类消费电子与工业模块的工作环境要求，为设备的长期稳定运行提供保障。
封装完全兼容，实现“无缝”直接替换。VB1307N采用标准SOT23-3封装，其引脚定义、封装尺寸与RXR035N03TCL完全一致。工程师可直接在原有PCB布局上进行替换，无需任何电路修改或结构调整，实现了真正的“零设计风险”替代。这极大节省了重新验证的时间与成本，助力产品快速完成供应链转换，加速上市进程。
本土供应与技术支持，保障稳定交付与快速响应。VBsemi微碧半导体扎根国内，拥有自主可控的供应链与生产基地，确保VB1307N供货稳定、交期短，有效规避国际物流与贸易风险。同时，公司提供专业高效的本土技术支持团队，能够快速响应客户需求，提供从选型指导、替换验证到应用调试的全方位服务，彻底解决进口品牌支持滞后的问题，让替代过程高效无忧。
从低压电源模块、便携设备保护电路，到小型电机驱动、智能家居控制；从电池管理系统、低压转换器，到各类消费电子主板，VB1307N凭借“电流更强、损耗更低、封装兼容、供应稳定、服务快捷”的综合优势，已成为RXR035N03TCL国产替代的高性价比方案，并获得了多家客户的批量应用验证。选择VB1307N，不仅是完成一颗元器件的替换，更是以更优性能、更低成本、更可靠供应，提升产品市场竞争力的一次高效升级。