在高压与高效率并重的功率电子领域，选择一款可靠的MOSFET犹如为系统搭建坚实的基石。这不仅关乎性能与稳定性，更是在日益复杂的供应链中寻求自主可控的关键一步。本文将以 STF8NK100Z 与 STW28NM60ND 这两款ST经典高压MOSFET为基准，深入解析其设计定位与应用场景，并对比评估 VBMB195R09 与 VBP16R20S 这两款国产替代方案。通过厘清参数差异与性能取向，旨在为您的电源、电机驱动等高压设计提供清晰的国产化选型路径。
STF8NK100Z (N沟道) 与 VBMB195R09 对比分析
原型号 (STF8NK100Z) 核心剖析：
这是一款ST的1kV高压N沟道MOSFET，采用TO-220F绝缘封装。其设计核心在于在高压下提供可靠的开关能力，关键优势在于：高达1000V的漏源击穿电压，能有效应对高压浪涌；在10V驱动、3.15A条件下导通电阻为1.6Ω。其6.5A的连续电流能力适用于中小功率的高压场合。
国产替代 (VBMB195R09) 匹配度与差异：
VBsemi的VBMB195R09采用同款TO220F封装，是直接的引脚兼容型替代。主要差异在于电气参数：VBMB195R09的耐压（950V）略低于原型号，但连续电流（9A）显著高于原型号的6.5A，同时其导通电阻（1.7Ω@10V）与原型号处于同一水平。
关键适用领域：
原型号STF8NK100Z：其1kV高耐压特性非常适合需要高电压阻断能力的离线式开关电源初级侧、功率因数校正（PFC）电路以及高压照明镇流器等应用。
替代型号VBMB195R09：在保持高耐压（950V）和封装兼容的同时，提供了更高的电流输出能力（9A），适合对电流需求更严苛、电压在950V以下的高压开关场景，是原型号在多数应用中的有力性能替代。
STW28NM60ND (N沟道) 与 VBP16R20S 对比分析
与前者侧重高压不同，这款MOSFET的设计追求的是“高压大电流与低导通损耗”的平衡。
原型号的核心优势体现在三个方面：
优异的功率处理能力：600V耐压，连续电流高达23A，并具备190W的高耗散功率，适用于中大功率场合。
良好的导通性能：在10V驱动下，导通电阻低至150mΩ，有助于降低导通损耗。
成熟的TO-247封装：提供优异的散热能力，保障器件在高功率下稳定运行。
国产替代方案VBP16R20S属于“精准对标型”选择：它在关键参数上实现了高度匹配与部分优化：耐压同为600V，连续电流达20A，与原型号23A接近；其导通电阻更是降至160mΩ（@10V），与原型号150mΩ处于同一优秀水平，且采用散热性能更佳的SJ_Multi-EPI技术。
关键适用领域：
原型号STW28NM60ND：其高电流、低导通电阻及强大的散热能力，使其成为工业电源、大功率电机驱动、UPS逆变器以及电焊机等应用中高压侧开关的理想选择。
替代型号VBP16R20S：则提供了几乎同等的性能表现，是上述高压大电流应用场景中可靠的国产化直接替代方案，有助于提升供应链安全性。
综上所述，本次对比分析揭示了两条清晰的国产化选型路径：
对于1kV级别的高压开关应用，原型号 STF8NK100Z 凭借其1000V的耐压，在应对严苛电压应力时具备优势。其国产替代品 VBMB195R09 虽耐压略低（950V），但提供了更高的电流能力（9A），在多数950V以下的应用中可作为性能更优或直接兼容的替代选择。
对于600V级别的高压大电流应用，原型号 STW28NM60ND 在23A电流、150mΩ低导通电阻与TO-247封装散热间取得了优秀平衡，是工业与能源电力系统中经典的功率开关选择。而国产替代 VBP16R20S 则实现了精准的性能对标，其20A电流和160mΩ导通电阻确保了在绝大多数应用中可以无缝替换，并提供可靠的性能保障。
核心结论在于：在高压功率MOSFET领域，国产器件已具备与国际品牌同台竞技的实力。VBMB195R09 和 VBP16R20S 不仅提供了封装兼容的替代方案，更在电流能力等关键参数上展现出竞争力。工程师在选型时，应基于具体的电压、电流需求及降额设计，充分利用国产型号带来的供应链韧性与成本优势，实现功率系统性能与可靠性的最优解。