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VBGQA1300 产品详细

产品简介:

产品简介
VBGQA1300 是一款基于 SGT 技术的 N 型场效应晶体管(MOSFET)。这款产品具有较高的电压承受能力,额定漏源电压为 30V,门源电压可承受 ±20V。它具有非常低的导通电阻(RDS(on)),在VGS = 10V 时为 0.7 mΩ,典型阈值电压为 2V,最大漏电流(ID)为 280A。凭借其低导通电阻和高电流能力,这款 MOSFET 非常适用于需要高效能和低热量积聚的功率控制领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V ±20V 2V 280A 0.7(mΩ) SGT

详细参数说明
型号: VBGQA1300
封装类型: DFN8(5X6),8引脚封装,适合高功率密度应用。
配置: 单通道配置(Single),便于应用在单一功率路径中。
极性: N型(N-channel),适用于高效开关模式,广泛用于电源管理。
漏源电压 (VDS): 30V,适合较高电压的功率系统。
门源电压 (VGS): ±20V,能耐受较高的电压波动。
典型阈值电压 (Vth): 2V,较低的阈值电压使得晶体管容易开启,有利于降低开关损耗。
导通电阻 (RDS(on)):
在 VGS = 10V 时,典型值为 0.7 mΩ 低导通电阻减少了能量损失,尤其在高频和大电流应用中表现突出。
漏电流 (ID): 280A,能够支持高电流负载,适用于大功率应用。
技术: SGT 技术,优化了器件的开关速度和低导通损耗,适合高效能的功率控制。

领域和模块应用:

应用领域及模块示例

电源管理系统:可广泛应用于电源管理系统中,尤其是在 DC-DC 转换器中,能够提供低导通电阻和高效率的功率转换。其出色的导通性能可以显著减少功率损耗,提高系统的整体性能,尤其适用于要求较高电流负载的应用。

电动工具: 该 MOSFET 非常适合用于电动工具的电源管理部分,作为电机驱动控制的开关元件。由于其高效率和低导通电阻, 能在高负载下保持稳定性能,提升电动工具的工作效率和延长使用寿命。

汽车电子: 在汽车电子领域中的应用也非常广泛,尤其在电动汽车及其充电系统中。作为电池管理系统(BMS)中的功率开关,该器件可以高效地调节电池的充电和放电过程,并确保车辆在高电流负载条件下运行。

便携式电子设备: 在便携式电子设备中,可用作电源开关和电源转换器的核心组件。由于其小巧的封装和低导通电阻,它非常适用于要求体积小且功率密度高的设计,能够有效地提升设备的运行效率。

家电和消费类电子产品: 在家电产品(如电冰箱、洗衣机等)以及各种消费类电子产品中,可以作为功率管理组件,确保设备在高效运行时保持低能耗,增强设备的节能性能。

综上所述,由于其低导通电阻、高电流承载能力以及适用于高效电源管理系统的特性,适用于多个领域的各种模块,特别是在高电流、低功率损耗和高效率要求的应用场合中具有极大的优势。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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