一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路

在开关控制电路中，MCU 常通过三极管间接控制 MOS 管，而非直接驱动
为什么呢？

当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，1.8V电源导通；

当I/O为低电平时，三极管截止，MOS 管栅极电压接近电源电压，MOS 管截止，1.8V电源断开。

三极管作为电流控制型器件，导通条件仅需基极电压（Ube）高于阈值（硅管一般为 0.6V，锗管约 0.3V），与 MCU 的 3.3V IO 输出完美匹配，实现开关功能。但其电流放大能力有限，无法直接驱动大负载。

而MOS 管是电压控制型器件，导通依赖栅极电压（Ugs）高于阈值,通常 3V~5V，而饱和导通往往需要 5V~10V 驱动电压。3.3V 的 MCU 输出可能无法使其完全导通，导致发热或效率降低。但其导通电阻极低（毫欧级），可承受大电流，适合驱动高功率负载。
MCU 通过三极管的开关状态，间接控制 MOS 管栅极的高低电平，既解决了 MCU 驱动能力不足的问题，又发挥了 MOS 管低损耗的优势。