在电子电路里，MOS 管作为常用功率开关元件，其门极驱动电路设计对性能影响重大。今天我们来介绍以下三种常见的 MOS 管门极驱动电路。

1.直接驱动：直接驱动电路是一种较为简单直接的 MOS 管门极驱动方式，（通过电阻、二极管等元件直接驱动 MOS 管）。电阻 R1 用于限流与抑制寄生振荡，阻值通常在 10Ω 到 100Ω。电阻 R2 为 MOS 管关断提供放电回路，确保其快速关断；稳压二极管 D1 和 D4 保护 MOS 管的门极与源极，防止过压损坏。二极管 D3 加速 MOS 管关断，提升电路开关效率。

2.互补三极管驱动：当 MOS 管用于高功率场景，PWM 芯片输出信号驱动能力不足时，需采用互补三极管驱动电路。PWM 为高电平时，三极管 Q3 导通驱动 MOS 管导通；PWM 为低电平时，三极管 Q2 导通加速 MOS 管关断。电阻 R1 和 R3 限流并抑制寄生振荡（阻值 10Ω - 100Ω ），R2 提供关断放电回路，二极管 D1 加速 MOS 管关断。

3.耦合驱动（利用驱动变压器耦合驱动）：在 Buck 变换器或双管正激变换器等特殊电路拓扑中，若驱动信号和功率 MOS 管不共地，或 MOS 管源极浮地的情况，耦合驱动电路是理想选择。它利用驱动变压器的电磁感应原理传输驱动信号，实现电气隔离，避免地电位干扰，确保 MOS 管正常工作。

不同的 MOS 管门极驱动电路适用于不同场景。直接驱动简单低成本，适用于小功率、性能要求不高的场合；互补三极管驱动适用于大功率需求；耦合驱动则针对不共地或源极浮地的特殊情况。实际设计时，需依具体需求综合考量成本、性能等因素，合理选择驱动电路，确保 MOS 管稳定高效运行。