作用

（一）能量流向控制

Q4 导通（储能）：MOS 管 Q4 导通时，电源 VIN 经电感 L8 ，使L8 储能，电流上升。此时 D6 反向偏置截止，阻断输出电容 C11 向地放电，避免能量损耗。

Q4 关断（释能）：Q4 关断时，L8 产生反向电动势，D6 正向导通，L8 磁场能经 D6 向负载供电、给 C11 充电，维持输出电压。

（二）避免能量损耗

若电路中未接入 D6，Q4 导通，C11 会经 Q4 对地放电，导致电容能量浪费、输出电压骤降、MOS 管过热甚至损坏，电路效率大幅降低。而D6 反向截止切断此路，保证 C11 能量只供负载，使L8 储能过程不受干扰。

（三）实现升压

储能（Q4 导通，D6 截止）：VIN 给 L8 供电，电感 L8 电流线性增加，磁场能积累。

释能（Q4 关断，D6 导通）：L8 与 VIN 电压叠加作用负载实现升压。D6 状态切换保障 Boost 升压。

二极管需满足以下要求：

耐压：反向耐压大于 VOUT，留 20% - 30% 余量。

电流：正向平均电流大于负载最大电流，峰值电流匹配 L8 峰值电流防过热。

速度：选快恢复或肖特基二极管（Trr < 100ns ）降开关损耗。

压降：正向压降越小越好，降导通损耗。