遇到MOS管误导通怎么办？

通常引起误导通会有两种情况，一种是米勒效应，还有一种是由电感引起的。

米勒效应

当上管开通，下管关断，快速开通产生的高dv/dt会在下管的米勒电容上形成电流，并流过下管驱动阻抗在栅极电阻中产生电压降，提高了栅极电压，产生了较大的电压尖峰。

寄生电感

当下管源极的寄生电感较大时，在MOS管快速关断过程中，随着电流的降低，寄生电感会形成一个上负下正的电压，导致误导通。

在半桥电路应用中，当上管的MOSFET导通，为避免出现直通或者过流的情况，下管的MOSFET就必须关断。

误导通会发生什么？

可能会出现上管和下管同时导通的情况，导致MOS管的损坏。此外，当栅极的尖峰电压超过栅源之间允许的最大电压时，会击穿MOS管的栅极氧化层并损坏。

避免误导通的措施如下：

1.增加栅极驱动电阻或者在门极增加一个GS电容，都能降低MOSFET开关速度。缺点：会导致损耗变大。

2.当下管关断时，为米勒电容的电流提供一个低阻抗路径，避免上管开通时高dv/dt带来的干扰。

3.降低关断时栅极的电压，也就是实现负压驱动，让栅极电压抬升时不会超过Vgs-th。负压驱动有两种方式：1.利用稳压管 2.利用隔直电容产生负压

MOSFET选型上也能避免误导通，那要如何选取？

为避免寄生导通，UGS/UDS比，必须尽量的小，相反，UDS/UGS比，必须尽量的大，CGS/CGD比，也必须尽量的大，大于15（或者最小大于10）。