NMOS和PMOS的直接驱动电路有什么区别？

高侧非隔离栅极驱动有很多种方式，比如直接驱动，电平位移驱动，自举技术等等，但是都有各自的差异，那NMOS和PMOS的直接驱动电路有什么不同呢？

当最高输入电压低于器件的栅源极击穿电压，可以使用PMOS直接驱动。

它应用在PMOS的12V输入直流/直流转换器。

它和NMOS的差异就在于栅极驱动电流的路径，这个电流不会流入接地连接。相反，正轨互连会传导栅极的高充电和放电电流。利用宽迹线或者平面来提供正输入，可以最大程度减小栅极驱动中的环路电感。

NMOS直接驱动，可以通过PWM控制器或者接地来实现。

这个电路的开关操作发生在器件的源极端子上，这是因为漏极连接到了正直流输入电压轨。它同样是相同的钳位电感应开关，不过这里要注意，栅极驱动电流在源极端子上是无法返回接地点。

相反，它必须流经连接到器件源极的负载。

在非连续电感器电流模式下，栅极充电电流必须流经输出电感器和负载。在连续电感器电流模式下，可以通过整流器二极管的导电pn结让环路闭合。

在关断期间，栅极放电电流会流经连接在接地点和MOSFET源极之间的整流器二极管。

这就会导致一些差异，栅极驱动电路需要的元件增加了，环路面积也会变大，寄生源极电感也增大了。

以上就是这两种电路的设计情况，在实际应用中，NMOS经常用作主电源，这是因为它的价格较低，速度更快，此外它的导通电阻也比较低。

以上是本期的全部内容，下一期我们来讲解在高侧非隔离栅极驱动中，MOSFET的电平位移驱动电路。