如何防止MOS管的自导通现象？

通常我们会见到以下三种方法：

1. 栅源之间增加一个电容

2. 增加米勒钳位电路

3. 利用负电压提供栅极驱动电压

我们用一个电路来模拟一种自导通的现象。

在反向恢复中，Q2在电感负载电流回流到Q1的二极管导通时，电感的电流会流过Q2。让二极管关断。

那么在关断的状态下，对MOS管施加高dv/dt电压时会发生什么呢？

我们将R4的电阻阻值调整一下，就会看到变化了。

接下来，将MOS管（Q1）栅源之间增加一个电容，吸收栅极电流，这是为了降低因为栅极电阻产生的栅极电压，降低自导通电压。

这是增加电容后的波形，栅源电容的增加也改变了MOS管的开关时间，这时就需要电容和栅极电阻一起调整变化。

那么栅极驱动电路的R1 有什么作用呢？

这是个下拉电阻，很显然，它的作用一个是给电路提供泄放回路，让MOS管只处于开关两个状态，另一个就是它可以一定程度上防止雷击和静电。

回到开头，解决自导通的三个办法：

1. 栅源之间增加一个电容

用栅源之间的电容吸收dv/dt引起的漏栅电流，电容与MOS管内部的Cgs并联，栅极电荷会增加。

如果栅极电压是固定的，那可以通过改变栅极电阻的阻值来保持MOS管的开关不变。不过这会导致驱动功率的增加。

2. 增加米勒钳位电路

可以在栅源之间增加另外一个MOS管来实现，当电压低于预设的米勒电压，比较器就会提供逻辑高电平，让栅源之间的MOS管导通，栅源之间短路，通过米勒电容和栅极电阻的电流让栅极电压提升。

3. 利用负电压提供栅极驱动电压，让它不要超过Vth，一般需要用到负电源。