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VBPB2157N 产品详细

产品简介:

### **VBPB2157N 产品简介**
VBPB2157N 是一款高性能 P 沟道 MOSFET,采用 TO-3P 封装,适用于高效电源管理和功率转换应用。该器件的主要特性包括 **-150V 的耐压能力**、**-50A 的连续漏极电流**,以及 **低导通电阻 (R\(_{DS(on)}\) 典型值为 64mΩ)**,可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,采用 **Trench(沟槽)结构设计**,增强了器件的导通性能和开关特性,使其在高功率应用中具有更好的性能和可靠性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO3P Single-P -150V 20V(±V) -2.0V -50A 80(mΩ) 64(mΩ) Trench
## **VBPB2157N 详细参数说明**

| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|------|------|------|------|
| **最大漏源电压** | V\(_{DSS}\) | -150 | V |
| **栅源电压** | V\(_{GS}\) | ±20 | V |
| **阈值电压** | V\(_{GS(th)}\) | -2.0 | V |
| **最大导通电阻(典型值)** | R\(_{DS(on)}\) | 80(典型 64) | mΩ |
| **最大连续漏极电流** | I\(_D\) | -50 | A |
| **封装类型** | - | TO-3P | - |
| **技术类型** | - | Trench(沟槽) | - |

领域和模块应用:

# **VBPB2157N 适用领域和模块示例**

1. **开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器**
VBPB2157N 适用于开关电源和高效 DC-DC 转换器,尤其是 **高功率电源** 设备,例如服务器电源和工业电源系统。其 **低 R\(_{DS(on)}\)** 可降低导通损耗,提高整体能效,减少散热需求。

2. **电机驱动和工业控制**
由于其高耐压能力和大电流承载能力,该 MOSFET 适用于 **电机驱动模块、伺服电机控制系统和变频器**。特别是在需要高速开关和低损耗的场合,可提高电机驱动的能效和稳定性。

3. **电池管理系统(BMS)和电动车(EV)**
在 **新能源汽车 BMS、电池保护模块** 及高压 DC 继电器中,VBPB2157N 可用作高功率负载开关或保护开关,以减少功率损耗,并提高系统安全性。

4. **太阳能逆变器和储能系统**
在 **光伏逆变器、太阳能 MPPT(最大功率点追踪)控制器** 和 **储能系统** 中,该 MOSFET 可用于高效功率转换,提高能量利用率,降低温升并延长系统寿命。

5. **UPS(不间断电源)和备用电源系统**
该器件适用于 **UPS 逆变器、电力调节设备**,可优化能源管理,确保关键设备在断电时仍能获得稳定电力供应。

VBPB2157N 具备高可靠性、低损耗和高功率处理能力,适用于多种高效电源管理和功率转换应用,是工业及汽车电子等领域
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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