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VBP2157N 产品详细

产品简介:

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VBP2157N 是一款基于 Trench 技术的 P 型场效应晶体管(MOSFET),封装类型为 TO247,单通道配置。该器件具有较高的电压耐受能力,最大漏源电压(VDS)为 -150V,最大门源电压(VGS)为 ±20V,典型的阈值电压(Vth)为 -2.0V。其最大漏电流(ID)为 -50A,具备较低的导通电阻(RDS(on)),在 VGS = 4.5V 时为 80 mΩ,VGS = 10V 时为 65 mΩ。VBP2157N 提供优异的开关特性和低功率损耗,适用于高电压和高电流应用,尤其在功率转换、逆变器和电池管理等领域具有广泛的应用潜力。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO247 Single-P -150V 20V(±V) -2.0V -50A 80(mΩ) 65(mΩ) Trench
详细参数说明

- **型号**: VBP2157N
- **封装类型**: TO247,适用于高功率应用,能够处理较大的电流和功率。
- **配置**: 单通道配置(Single),适合用于需要单一功率路径的电路。
- **极性**: P型(P-channel),适用于负电压控制应用。
- **漏源电压 (VDS)**: -150V,适合高电压应用,能够承受较大的电压负荷。
- **门源电压 (VGS)**: ±20V,能耐受较高的电压波动。
- **典型阈值电压 (Vth)**: -2.0V,较低的阈值电压确保快速开启和低开关损耗。
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 在 VGS = 4.5V 时典型值为 80 mΩ
- 在 VGS = 10V 时典型值为 65 mΩ
低导通电阻帮助减少功率损耗,提高效率。
- **漏电流 (ID)**: -50A,能够处理大电流,适合高功率负载应用。
- **技术**: Trench 技术,优化了器件的开关速度和低导通损耗,适合高效能功率控制。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例

1. **电源管理系统(包括DC-DC转换器)**:
VBP2157N 可用于电源管理系统,特别是在 DC-DC 转换器中,作为开关元件。由于其较低的导通电阻和较高的漏电流承受能力,它能够提供高效的功率转换,适用于需要高电压和高电流控制的应用,如大功率电源适配器和工业电源模块。

2. **逆变器系统(如太阳能逆变器)**:
在太阳能逆变器中,VBP2157N 作为 P 型 MOSFET 可用于功率转换,能够有效地将直流电转换为交流电。其 -150V 的高电压承受能力使其适合太阳能逆变器的高压输入系统,同时低导通电阻保证了高效能和低热量损耗。

3. **电池管理系统(BMS)**:
VBP2157N 可广泛应用于电池管理系统,尤其是在锂电池组的功率控制和电池平衡电路中。其高电流承受能力(-50A)和低导通电阻使其适合处理大电流,确保电池在充放电过程中保持高效能,并有效控制功率损耗。

4. **电动汽车和电动工具驱动系统**:
在电动汽车(EV)和电动工具驱动系统中,VBP2157N 可作为功率开关,用于控制电动机的驱动电流。由于其大电流承载能力和高电压耐受能力,能够支持高功率电动机的运行,同时保持高效率和较低的热量积聚。

5. **高效功率放大器(例如通信设备)**:
在高效功率放大器中,特别是在需要高功率和高效率的通信系统中,VBP2157N 可以作为开关元件,提供快速的开关响应和低功率损耗。适用于基站发射器、高频通信设备以及其他大功率放大器中。

6. **工业电源和不间断电源系统(UPS)**:
VBP2157N 适用于工业电源和不间断电源系统中,作为负电压控制的开关元件。其高电压和大电流能力使其在工业应用中表现优异,能够支持高负载条件下稳定运行,保证设备的可靠供电。

VBP2157N 的高电压承受能力、低导通电阻和高电流承载能力,使其在多个高效能功率控制领域中具有广泛的应用,尤其适用于高电压、高电流的功率转换、逆变器、电池管理、以及电动工具和电动汽车驱动系统等场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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