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VBQG1201K 产品详细

产品简介:

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VBQG1201K 是一款采用 Trench 技术的 N 通道功率 MOSFET,采用 DFN6(2X2) 封装,适用于高电压、大电流应用场景。该 MOSFET 最大承受漏源电压为 200V,最大漏电流为 2.8A,具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻。VBQG1201K 的阈值电压为 3.0V,适用于高效能的电源管理、电池管理系统和电源转换器等领域,能够在保证高性能的同时,降低系统的功率损耗。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN6(2X2) Single-N 200V 20V(±V) 3.0V 2.8A 1200(mΩ) Trench
详细参数说明

- **型号**:VBQG1201K
- **封装类型**:DFN6(2X2)
- **配置**:单极性(Single)
- **极性**:N型(Polarity: N)
- **漏源电压 (Vds)**:200V
- **栅源电压 (Vgs)**:±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**:3.0V
- **导通电阻 (Rds(on))**:
- @Vgs=4.5V:1200 mΩ
- @Vgs=10V:不适用
- **最大漏电流 (Id)**:2.8A
- **技术**:Trench 技术
- **应用领域**:
- 电源管理系统
- 电池管理系统
- DC-DC 转换器
- 高效电力转换应用

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **电源管理模块**:
在电源管理系统中,VBQG1201K 能用于电力转换模块,如 DC-DC 转换器。其较高的漏源电压和导通电阻使其非常适用于需要高电压承载和低功率损耗的应用场景。特别是在一些低功率的电池供电设备中,能够有效提高效率并降低系统功耗。

2. **电池管理系统(BMS)**:
在电池管理系统中,VBQG1201K 可用于电池的充电与放电控制,特别适用于高电压电池系统。其较高的最大漏源电压和较低的导通电阻能够确保电池系统的稳定性和高效性,避免过度发热,确保系统的安全与长效性。

3. **高效电力转换器**:
由于其较高的漏源电压和较低的导通电阻,VBQG1201K 可以用于高效能的电力转换应用,尤其是DC-DC 转换器中,保证高转换效率、低热损失和高稳定性。这对于电力供应、能源管理以及新能源应用(如太阳能转换系统)至关重要。

4. **电子控制系统**:
在一些电子控制系统中,VBQG1201K 可以用于电压控制、调节与电流控制等功能。其较高的工作电压和大电流承载能力能够支持一些中低功率的电子产品,特别是汽车电子、家电电源和工业控制系统。

VBQG1201K 由于其高电压和较低的导通电阻特性,广泛应用于电源管理、充电系统、汽车电子等领域,在高效能电力转换和电池管理中发挥着重要作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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