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VBA3610N 产品详细

产品简介:

产品简介

VBA3610N 是一款采用 Trench 技术的双 N 型场效应晶体管(MOSFET),封装类型为 SOP8,适合表面贴装。其最大漏源电压(VDS)为 60V,最大门源电压(VGS)为 ±20V,典型的阈值电压(Vth)为 1.9V,最大漏电流(ID)为 4A。该产品具有较低的导通电阻(RDS(on)),在 VGS = 4.5V 时为 130 mΩ,VGS = 10V 时为 110 mΩ,能够有效降低功率损耗并提高电路的整体效率,广泛应用于低电压、高效能的电源管理系统和功率控制模块。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 60V 20V(±V) 1.9V 4A 130(mΩ) 110(mΩ) Trench
详细参数说明

- **型号**: VBA3610N
- **封装类型**: SOP8,适用于表面贴装应用,节省空间并提高装配效率。
- **配置**: 双通道配置(Dual N+N),适合需要两个独立通道的应用。
- **极性**: N型(N-channel),适用于高效开关应用。
- **漏源电压 (VDS)**: 60V,适合用于低压、高效能的电源管理。
- **门源电压 (VGS)**: ±20V,门源电压耐受能力较强,能够适应多种电压环境。
- **典型阈值电压 (Vth)**: 1.9V,较低的开关阈值电压确保快速启动,并减少开关损失。
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 在 VGS = 4.5V 时典型值为 130 mΩ
- 在 VGS = 10V 时典型值为 110 mΩ
低导通电阻确保低功耗运行,尤其在高频或大电流负载下表现优异。
- **漏电流 (ID)**: 4A,适用于中等功率应用,支持较大的电流负载。
- **技术**: Trench 技术,通过优化的沟道结构减少导通电阻和开关损耗,提高功率转换效率。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例

1. **电源管理和DC-DC转换器**:
VBA3610N 广泛应用于电源管理系统,尤其是在 DC-DC 转换器中,作为高效能的功率开关。其低导通电阻有助于减少转换过程中的能量损失,确保更高的功率转换效率,适合用于中小功率的电源模块,如充电器、电源适配器等。

2. **电池管理系统(BMS)**:
在电池管理系统中,VBA3610N 可用于电池的功率控制和电流限制。由于其最大漏电流为 4A,能够满足电池组的功率需求,并有效控制电池充放电过程中的功率损耗,提升系统效率。

3. **家电和消费电子产品**:
在家电产品和消费类电子设备中,VBA3610N 被广泛用于电源开关电路。其低功耗特性使其特别适用于需要长时间稳定运行的家电产品,如LED照明、电视、音响系统等。

4. **电动工具和小型电机驱动**:
在电动工具或小型电机驱动系统中,VBA3610N 的高效开关特性可提供优异的功率控制表现。由于其漏电流可达到 4A,该 MOSFET 能够驱动较小电机,并保持较低的热量产生,适合于电动工具、风扇等设备中。

5. **汽车电子系统**:
VBA3610N 还可以在汽车电子系统中作为功率开关,特别是低压电源系统。比如在车载电源模块、LED照明、电池管理系统中,能够提供高效的电力传输和功率调节,提升整个系统的性能和稳定性。

VBA3610N 凭借其高效的功率开关能力、低导通电阻和适中的漏电流,广泛应用于电源管理、消费电子、汽车电子以及电池管理等多个领域,尤其适用于中小功率的应用环境。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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