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VBMB1108N 产品详细

产品简介:

1. 产品简介
VBMB1108N是一款采用TO220F封装的N沟道功率MOSFET,适用于高效能电源管理和开关应用。这款MOSFET基于沟槽技术(Trench Technology),具有低的导通电阻(RDS(on)=80mΩ),能够在大电流下实现更低的功耗和更高的效率。该MOSFET的典型门源电压(VGS)为±10V,最大漏极源极电压(VDS)为100V,额定电流可达20A。它被广泛用于需要高电流和低导通损耗的领域,如开关电源、马达驱动、电池管理和电动汽车应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220F Single-N 100V 20V(±V) 1.8V 20A 80(mΩ) Trench
2.详细的参数说明
型号: VBMB1108N
封装类型: TO220F
配置: 单一N沟道
极性: N型
最大漏源电压 (VDS): 100V
门源电压 (VGS): ±20V
典型阈值电压 (Vth): 1.8V
导通电阻 (RDS(on)): 80mΩ @ VGS = 10V
额定电流 (ID): 20A

领域和模块应用:

3. 适用领域和模块举例
1) 开关电源:
在高效能电源供应系统中,VBMB1108N作为开关控制器的核心元件,能够快速切换并减少导通损耗,极大提高系统的能源效率。它特别适用于低功耗电源和高频开关模式电源(SMPS)中。

2) 电动汽车(EV):
在电动汽车的电池管理系统中,VBMB1108N能够控制电池的充放电过程,确保系统的稳定性与效率。其高电流承载能力使其适合用在电池电路中,减少功耗,延长电池使用寿命。

3) 马达驱动模块:
VBMB1108N可作为马达驱动模块中的开关元件,通过有效控制电流,优化马达的功率输出和效率。在工业自动化和电动工具中,能够提供稳定的马达控制。

4) 直流-直流转换器(DC-DC转换器):
由于其低的导通电阻和较高的电流承载能力,VBMB1108N适用于高效的DC-DC转换器中,能够在宽范围的输入电压和负载条件下,保持优良的转换效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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