推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

WST6066A-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**WST6066A-VB** 是一款 **单N沟道MOSFET**,采用 **SOT23-3封装**,设计用于低功率开关和控制应用,特别适合于需要中等电压和电流的场景。它具有 **最大漏源电压(VDS)为60V**,适合中等电压控制电路,能够在不超过此电压的情况下稳定工作。该MOSFET采用 **Trench技术**,在确保开关速度的同时提供较低的 **导通电阻(RDS(ON))**,在 **VGS=4.5V时为86mΩ**,在 **VGS=10V时为75mΩ**,从而优化功率损耗并提升整体效率。其 **最大漏电流(ID)为4A**,能够满足多种低功率控制和调节任务,广泛适用于各类负载开关、电池管理和信号处理系统。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 4A 75mΩ
详细参数说明

- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **门源电压 (VGS)**:±20V
- **门极阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 86mΩ @VGS = 4.5V
- 75mΩ @VGS = 10V
- **漏电流 (ID)**:4A
- **最大功率耗散 (Pd)**:200mW
- **技术**:Trench技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **最大漏极电流**:5A(峰值)

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **低功率电源管理**
由于其低 **导通电阻** 和较高的 **漏电流承载能力**,**WST6066A-VB** 特别适用于 **低功率电源管理系统**。在 **5V 或 12V 电源供电的设备** 中,它能够作为 **开关元件**,调节电流的流动和控制电源开关。特别适合用于 **便携设备、电池管理系统、低功率电源模块** 等领域,能够有效减少功率损失,提升效率。

2. **负载开关**
该MOSFET的 **最大漏电流** 达到 **4A**,使其能够作为 **负载开关**,用于连接电池或电源到负载电路,尤其在需要开关控制的场合中表现出色。它能够高效控制电流流向,并在负载电流变化时保持稳定工作。例如,在 **LED驱动、低功率电动工具** 中,作为开关元件,帮助有效控制负载。

3. **电池保护与管理**
在 **电池保护电路** 中,WST6066A-VB 具有较低的 **导通电阻**,适合 **电池管理系统(BMS)** 中的充放电开关控制。该MOSFET能够调节电池的充电和放电过程,同时确保电池在安全电压和电流范围内工作。在电池充放电的过程中,它能够有效避免过电流、过充和过放电情况,从而提高电池使用寿命。

4. **小型家电与移动设备**
由于其 **低功耗** 和 **紧凑封装**,WST6066A-VB 也非常适合用于 **小型家电** 或 **移动设备** 中,如便携式音响、电动牙刷等,尤其是在这些设备需要高效电源开关的场合。它能够在不增加过多功耗的前提下控制电池或电源与负载之间的开关。

5. **信号开关与调节**
**WST6066A-VB** 在 **信号开关** 和 **调节电路** 中也能发挥重要作用,尤其是当电流较小且需要快速开关时。在 **微控制器(MCU)** 或 **信号处理单元** 中,MOSFET可用于 **信号切换、信号增益控制等**,提供低电压、高开关速度的信号调节功能。

**WST6066A-VB** 是一款高效的 **N沟道MOSFET**,适用于多种低功率控制应用,如 **电源管理、负载开关、电池管理** 等领域。其 **低导通电阻**、**较高的漏电流承载能力** 和 **紧凑封装** 特性,使其成为中小功率系统中理想的开关元件,广泛应用于 **便携设备、LED驱动、负载开关和电池保护** 等模块中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询