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WST3415S-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:WST3415S-VB MOSFET

WST3415S-VB是一款单P沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为低电压、高效能电源管理系统设计。它具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻,适用于多种便携式设备、低功耗应用和负载开关等场景。该MOSFET的额定漏源电压(VDS)为-30V,栅源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V,能够在多个工作环境中提供稳定的开关性能。WST3415S-VB的导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,具有较低的开关损耗和较高的能效。其最大漏电流(ID)为-5.6A,能够有效满足负载较大电流应用的需求。

由于采用Trench技术,WST3415S-VB具有低导通电阻和高效率,非常适用于消费电子、智能家居、LED驱动、电池供电设备等领域。其紧凑的SOT23-3封装使其能够轻松集成到各种低功耗应用中,提升系统性能的同时减少能源损失。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
详细参数说明:

| 参数 | 说明 |
|--------------|--------------------------------------------------|
| **型号** | WST3415S-VB |
| **封装** | SOT23-3 |
| **配置** | 单P沟道 |
| **VDS** | -30V |
| **VGS** | ±20V |
| **Vth(阈值电压)** | -1.7V |
| **RDS(ON)** | 54mΩ(VGS=4.5V)
46mΩ(VGS=10V) |
| **ID(最大漏电流)** | -5.6A |
| **技术** | Trench技术 |

领域和模块应用:

应用领域与模块举例:

1. **低功耗电源管理系统**:
WST3415S-VB非常适用于低功耗电源管理系统,特别是在智能家居、消费电子设备、移动电源等应用中。该MOSFET的低导通电阻特性有助于减少开关损耗,提高整体系统效率,在这些系统中,WST3415S-VB能够提供可靠的电源切换和稳定的电流控制。其最大漏电流为-5.6A,能够满足大多数低功耗设备对电流控制的要求。

2. **LED驱动与控制系统**:
在LED驱动和控制电路中,WST3415S-VB的低RDS(ON)和高效能使其成为理想的开关器件。它能够控制电流的流动,确保LED在长时间运行中的稳定性,特别适用于小型LED灯具、低电压照明和背光源驱动系统。通过减少导通损耗,该MOSFET能够提升LED系统的能效,延长使用寿命,并降低散热需求。

3. **负载开关与控制应用**:
WST3415S-VB同样适合用于负载开关与电流控制模块,特别是便携式和移动设备中。由于其较小的SOT23-3封装和优异的电流承载能力,这款MOSFET能够在电池供电的设备中稳定工作,如移动电源、便携音响及无线设备等。这些设备要求MOSFET能够快速响应,精确控制电流,以确保设备的安全和高效运行。

4. **电池供电系统**:
在电池供电系统中,WST3415S-VB能够实现高效的电源管理,延长电池使用时间。其低导通电阻特性确保较少的能量损失,提升系统整体的续航能力。适用于智能手机、平板电脑、便携式医疗设备等需要稳定电源管理的电池驱动设备。其紧凑的封装和较高的漏电流承载能力使其成为高效电池管理系统中的理想选择。

5. **智能家居与IoT设备**:
在智能家居和物联网(IoT)设备中,WST3415S-VB能够帮助精确控制电流的切换,并减少系统的整体能耗。其低RDS(ON)特性使得在运行过程中能够有效降低电源转换损耗,从而提高系统的电池寿命,尤其适用于智能传感器、无线控制设备等低功耗应用。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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