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WST2318-VB 产品详细

产品简介:

WST2318-VB MOSFET 产品简介

**WST2318-VB** 是一款 **单N沟道MOSFET**,采用 **SOT23-3** 封装,具有极低的导通电阻(RDS(ON)),非常适用于要求高效能和低功耗的电子电路。它具有最大漏源电压(VDS)为 **20V**,最大漏极电流(ID)为 **6A**,并且阈值电压(Vth)在 **0.5V 至 1.5V** 范围内,保证了它能够在较低的栅电压下开启。该MOSFET采用 **Trench** 技术,提供出色的性能和高效能,适用于各类低电压、低功率的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
WST2318-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:20V
- **栅源电压 (VGS)**:±12V
- **阈值电压 (Vth)**:0.5V 至 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- **42mΩ** @VGS = 2.5V
- **28mΩ** @VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**:6A
- **技术类型**:Trench
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **最大功耗**:未指定
- **输入门极电容 (Ciss)**:未指定
- **反向漏电流 (IR)**:未指定

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **电池管理系统(BMS)**
- **WST2318-VB** 由于其低 **RDS(ON)** 特性,在 **电池管理系统(BMS)** 中得到广泛应用。它能够有效地控制电池充放电过程,减少电池管理电路中的功耗,提高系统效率。在 **电池充电器** 或 **便携式电池** 中,MOSFET控制电流的开关,可以有效防止电池过放或过充。

2. **低压DC-DC转换器**
- 该MOSFET特别适用于 **低压DC-DC转换器**,例如 **Buck** 或 **Boost转换器**,它能够在转换过程中提供低损耗、高效率的电流控制。由于其 **低RDS(ON)**,它可大幅度提高转换效率,减少散热,适合用于如 **便携式电源**、 **可穿戴设备** 等对电源效率要求较高的应用。

3. **负载开关**
- 在 **负载开关控制** 应用中,**WST2318-VB** 提供稳定、快速的开关性能,适用于低功耗设备中的负载控制。它可用于 **电子设备中的开关电源模块**,通过控制电源输入输出,避免电流的突变,保证系统的稳定性。

4. **小型消费电子设备**
- 在 **智能手机、平板电脑、穿戴设备** 等 **小型消费电子设备** 中,**WST2318-VB** MOSFET作为负载开关或电源管理单元,能够实现高效的电流控制和节能效果。特别是在空间受限的情况下,其 **SOT23-3** 封装具有优异的空间效率,非常适合体积紧凑的设备。

5. **汽车电子系统**
- 在 **汽车电子系统** 中,**WST2318-VB** 可用于 **电池管理系统、开关电源、过电流保护电路** 等。随着电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)发展,电池管理和电源转换效率变得尤为重要,该MOSFET能在低电压和高效率的环境下稳定工作。

6. **LED驱动**
- 由于其 **低导通电阻** 和 **高开关速度**,**WST2318-VB** 也适用于 **LED驱动电路**,尤其是用于控制LED的开关电流。它能在低电压下提供稳定的电流调节,确保LED的长期稳定运行,广泛应用于 **背光源照明**、 **智能照明系统** 等领域。

7. **电源管理模块**
- 在各种 **电源管理模块** 中,**WST2318-VB** 也能实现低功耗和高效能的电流控制。例如,它在电源适配器、功率变换器、直流电源的电流控制中,能够确保设备能够高效、稳定地运行。

**WST2318-VB** MOSFET以其优异的低导通电阻和小型封装特性,适用于多种低电压、高效能的应用领域,包括电池管理、电源转换、负载开关、LED驱动等。特别是在低功耗设备和紧凑型电子系统中,能够显著提升系统性能,降低功耗,提高效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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