产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-3 |
Single-N |
20V |
12(±V) |
0.5~1.5V |
6A |
42mΩ |
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WST2318-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:20V
- **栅源电压 (VGS)**:±12V
- **阈值电压 (Vth)**:0.5V 至 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- **42mΩ** @VGS = 2.5V
- **28mΩ** @VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**:6A
- **技术类型**:Trench
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **最大功耗**:未指定
- **输入门极电容 (Ciss)**:未指定
- **反向漏电流 (IR)**:未指定
领域和模块应用:
应用领域与模块
1. **电池管理系统(BMS)**
- **WST2318-VB** 由于其低 **RDS(ON)** 特性,在 **电池管理系统(BMS)** 中得到广泛应用。它能够有效地控制电池充放电过程,减少电池管理电路中的功耗,提高系统效率。在 **电池充电器** 或 **便携式电池** 中,MOSFET控制电流的开关,可以有效防止电池过放或过充。
2. **低压DC-DC转换器**
- 该MOSFET特别适用于 **低压DC-DC转换器**,例如 **Buck** 或 **Boost转换器**,它能够在转换过程中提供低损耗、高效率的电流控制。由于其 **低RDS(ON)**,它可大幅度提高转换效率,减少散热,适合用于如 **便携式电源**、 **可穿戴设备** 等对电源效率要求较高的应用。
3. **负载开关**
- 在 **负载开关控制** 应用中,**WST2318-VB** 提供稳定、快速的开关性能,适用于低功耗设备中的负载控制。它可用于 **电子设备中的开关电源模块**,通过控制电源输入输出,避免电流的突变,保证系统的稳定性。
4. **小型消费电子设备**
- 在 **智能手机、平板电脑、穿戴设备** 等 **小型消费电子设备** 中,**WST2318-VB** MOSFET作为负载开关或电源管理单元,能够实现高效的电流控制和节能效果。特别是在空间受限的情况下,其 **SOT23-3** 封装具有优异的空间效率,非常适合体积紧凑的设备。
5. **汽车电子系统**
- 在 **汽车电子系统** 中,**WST2318-VB** 可用于 **电池管理系统、开关电源、过电流保护电路** 等。随着电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)发展,电池管理和电源转换效率变得尤为重要,该MOSFET能在低电压和高效率的环境下稳定工作。
6. **LED驱动**
- 由于其 **低导通电阻** 和 **高开关速度**,**WST2318-VB** 也适用于 **LED驱动电路**,尤其是用于控制LED的开关电流。它能在低电压下提供稳定的电流调节,确保LED的长期稳定运行,广泛应用于 **背光源照明**、 **智能照明系统** 等领域。
7. **电源管理模块**
- 在各种 **电源管理模块** 中,**WST2318-VB** 也能实现低功耗和高效能的电流控制。例如,它在电源适配器、功率变换器、直流电源的电流控制中,能够确保设备能够高效、稳定地运行。
**WST2318-VB** MOSFET以其优异的低导通电阻和小型封装特性,适用于多种低电压、高效能的应用领域,包括电池管理、电源转换、负载开关、LED驱动等。特别是在低功耗设备和紧凑型电子系统中,能够显著提升系统性能,降低功耗,提高效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性