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WST2316-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:WST2316-VB MOSFET

WST2316-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,具有较低的导通电阻和高效能开关特性。该产品的最大漏源电压(VDS)为 20V,最大漏极电流(ID)为 6A,适用于小功率电流控制应用。WST2316-VB 的阈值电压(Vth)为 0.5~1.5V,导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 28mΩ,在 VGS=2.5V 时为 42mΩ,采用 Trench 技术,能够在较低的栅电压下提供优秀的开关性能。这使得 WST2316-VB 成为低功率、高效率开关应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
详细参数说明:

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N 通道
- **漏源电压(VDS)**:20V
- **栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- RDS(ON) @ VGS = 2.5V:42mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 4.5V:28mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:6A
- **技术**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C(适用于各种应用场景)

领域和模块应用:

应用领域与模块举例:

1. **低功率电源管理**:
- WST2316-VB 适用于各种低功率电源管理应用,特别是在需要高效开关的电源模块中。例如,它可以用于电池供电系统中的功率转换、低功率 DC-DC 转换器等。其低导通电阻和高效的开关性能,有助于提高电源转换效率,延长电池续航时间。

2. **负载开关**:
- 由于其小尺寸和低导通电阻,WST2316-VB 非常适合用作负载开关,尤其是在需要小体积且高效的电流切换的应用中。例如,在便携式设备、电池管理系统、充电器等领域中,该 MOSFET 可以高效地控制负载,并有效地管理电流流向。

3. **电池保护电路**:
- WST2316-VB 在电池保护电路中表现出色,尤其是对于低功率应用。它可用于电池过压保护、电池过流保护以及电池过放电保护等功能。由于其较低的导通电阻,MOSFET 能够减少电池保护电路中的功率损耗,确保电池的长寿命和高效使用。

4. **消费电子产品**:
- 在各种消费类电子产品中,WST2316-VB 可用于电源管理、信号开关以及电池保护等模块。其高效的开关性能和较低的电阻使其在移动电话、智能穿戴设备、蓝牙音响、智能家居设备等低功耗设备中具有广泛的应用。

5. **小型家电**:
- WST2316-VB 还适用于小型家电产品中的开关电源控制,例如用于低功率电机驱动、电动玩具、智能家居设备等。由于其高效能,它能够为这些设备提供稳定的电流控制,保证设备的高效运行。

6. **自动化控制系统**:
- 在自动化控制系统中,WST2316-VB 可以用于控制电路中的开关操作,如小型伺服驱动、传感器接口电路等。MOSFET 具有较快的响应时间和低开关损耗,确保自动化系统的高效运行。

7. **LED驱动和显示模块**:
- WST2316-VB 适用于 LED 驱动电路和显示模块中的电流开关,能够确保稳定且高效的电源管理。其低 RDS(ON) 特性使其非常适合用于较小电流的 LED 驱动,以及高效的电源转换。

8. **射频开关**:
- WST2316-VB 由于其较低的导通电阻和优秀的开关性能,也可应用于射频(RF)开关中。在射频电路中,这种 MOSFET 能够提供快速、低损耗的开关功能,适用于需要高频率信号控制的场景。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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