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WST03P06-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**WST03P06-VB** 是一款 **P沟道MOSFET**,采用 **SOT23-3封装**,专为低压开关应用设计。该MOSFET配置为 **单个P沟道结构**,适用于需要负电压控制的电路。其 **最大漏源电压(VDS)为-60V**,适合在较低电压环境下使用。**WST03P06-VB** 具有 **门极阈值电压(Vth)为-1.7V**,能够在低电压下开启,表现出优异的开关特性。其 **RDS(ON)** 在 **VGS=4.5V** 时为 **52mΩ**,在 **VGS=10V** 时为 **50mΩ**,低导通电阻能够有效降低开关损耗,提高系统效率。该MOSFET的 **最大漏电流(ID)为-5.2A**,可承载一定的负载电流,广泛适用于低压电源开关、电池管理等应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -60V 20(±V) -1.7V -5.2A 50mΩ
详细参数说明

- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**:-60V
- **门源电压 (VGS)**:±20V
- **门极阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 52mΩ @VGS = 4.5V
- 50mΩ @VGS = 10V
- **漏电流 (ID)**:-5.2A
- **最大功率耗散 (Pd)**:1.25W
- **技术**:Trench技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **电源管理系统**
**WST03P06-VB** 在 **电源管理系统** 中具有重要应用,尤其是在 **DC-DC转换器** 和 **负电源电路** 中。其低 **RDS(ON)** 和较高的电流承载能力,使其适用于要求低功率损耗的电源管理场合。例如,在 **低功率电源适配器** 和 **电池充电电路** 中,它可作为高效的开关元件,提升电源转换效率,减少热损耗。

2. **电池管理与保护电路**
在 **电池管理系统(BMS)** 中,**WST03P06-VB** 可以用作开关元件来调节电池充放电过程。由于其较低的 **RDS(ON)** 和高电流承载能力,它能够高效控制电池的充放电电流,保护电池免受过载损害。特别适用于 **锂电池充电器** 和 **电池保护板** 等设备,确保电池在使用过程中稳定、安全。

3. **负载开关与继电器应用**
由于 **WST03P06-VB** 是P沟道MOSFET,因此它非常适合用于 **负载开关** 和 **继电器驱动**。它能高效地控制负载的通断,尤其适用于需要负电压控制的电路。在 **消费电子** 和 **工业设备** 中,如 **无线电控制设备**、**智能家电** 和 **自动化设备**,该MOSFET能够确保负载开关的稳定性和高效性。

4. **LED驱动与照明电源**
在 **LED驱动电源** 和 **照明电源系统** 中,**WST03P06-VB** 能够作为开关元件,通过调节电流来确保LED的稳定驱动。低 **RDS(ON)** 特性使其能够有效减少功耗,尤其适用于 **小型LED灯具**、**家用照明** 和 **商业照明** 等应用。

5. **低功率电源适配器**
**WST03P06-VB** 适用于低功率的 **电源适配器**,尤其是在需要负电压开关控制的场合。例如,在 **智能手机**、**平板电脑** 和 **便携式电池供电设备** 中,它能够实现电源的稳定开关,提供高效的电力管理,并有助于延长设备的电池使用时间。

6. **汽车电子系统**
在 **汽车电子系统** 中,**WST03P06-VB** 可用于 **电池管理系统(BMS)** 和 **负载开关控制**,尤其是在 **低功率汽车电子设备**(如车载照明、传感器控制等)中,它能够高效控制电流,减少能量损耗和提高系统效率。

**WST03P06-VB** 是一款低电压、高效能的P沟道MOSFET,特别适用于 **电源管理系统**、**电池管理**、**负载开关** 和 **LED驱动电源** 等应用。其低导通电阻和高电流承载能力,使其成为现代电子产品中理想的开关元件,广泛应用于 **便携式设备、照明电源**、**电源适配器** 及 **汽车电子系统** 等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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