产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-P |
-20V |
12（±V） |
-0.8V |
-4A |
80mΩ |
|
60mΩ |
|
2. **详细参数说明：**
- **封装类型：** SOT23-3
- **配置：** 单 P-Channel MOSFET
- **最大漏极-源极电压（VDS）：** -20V
- **最大栅极-源极电压（VGS）：** ±12V
- **阈值电压（Vth）：** -0.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 80mΩ @ VGS = 2.5V
- 65mΩ @ VGS = 4.5V
- 60mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）：** -4A
- **技术：** Trench
- **工作温度范围（T_j）：** -55°C 至 150°C
- **栅极电荷（Qg）：** 适中，适合高频率开关
- **封装尺寸：** 小型 SOT23-3 封装，适合空间受限的应用
- **最大功率（P_max）：** 提供高效率且低功率损耗的工作能力
领域和模块应用：
3. **应用领域和模块示例：**
# 1. **电池管理系统：**
WPM2341A-3 TR-VB 由于其低导通电阻和高电流能力，非常适合用于电池管理系统（BMS）。例如，在可穿戴设备、智能手机或便携式电子设备中，这款 MOSFET 可高效地控制电池的充放电过程，减少功率损耗并提高系统的能效。
# 6. **智能家居设备：**
在智能家居产品中，WPM2341A-3 TR-VB 由于其紧凑的 SOT23-3 封装，适合于智能电灯控制、传感器模块、智能插座和其他低电压电源管理应用中，能够高效控制负载切换和功率调节。
总结：
WPM2341A-3 TR-VB 是一款高效、低功耗的单 P-Channel MOSFET，采用小型的 SOT23-3 封装，特别适用于低电压、高效率的电源管理应用。它的低导通电阻和快速开关特性使其在电池管理、开关电源、负载切换等多个领域中表现优异，尤其适用于便携式电子设备、通信产品和智能家居系统。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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